公开(公告)号：CN108257985B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201711442531.6

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  文昌碌 ,  李德炯 ,  李锡河

IPC: H01L27/144

Abstract: 本公开提供了光传感器。第一基板包括多个单元像素区域。深沟槽隔离结构设置在第一基板中并使所述多个单元像素区域彼此隔离。多个光电转换器的每个设置在所述多个单元像素区域中的对应一个中。多个微透镜设置在第一基板上。多个分光器设置在第一基板上。所述多个分光器的每个设置在所述多个微透镜中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。多个光电转换增强层的每个设置在所述多个分光器中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。

公开(公告)号：CN1913167A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610151336.3

申请日：2006-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑宗完 ,  李德炯

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  Y10S438/964

Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器单元包括：在其上具有表面的第一导电型的半导体有源区和在有源区中的P－N结光电二极管。驱动晶体管也提供在半导体有源区中。驱动晶体管具有设置以接收在图像摄取操作期间(即在摄取来自图像的光子期间)在P－N结光电二极管中产生的电荷。驱动晶体管具有栅电极和在栅电极下延伸的波状外形沟道区。波状外形沟道区具有比栅电极的长度更长的有效沟道长度。

公开(公告)号：CN1893541A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610103096.X

申请日：2006-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李康福 ,  李锡河

IPC: H04N3/15 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及具有该图像传感器的系统。所述图像传感器包括：单位有源像素的阵列，每个单位有源像素包括第一有源区和第二有源区，第一有源区包括多个光电转换区，第二有源区与第一有源区分开，其中第一有源区排列为行和列，从而在其之间界定行和列延伸间隙，且其中第二有源区位于在第一有源区之间界定的行和列延伸间隙的各交叉点。

公开(公告)号：CN1581431A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410057442.6

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李炳讚 ,  崔时荣 ,  金泽中 ,  孙龙勋 ,  丁仁洙

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。

公开(公告)号：CN1238558A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN98118804.4

申请日：1998-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  朴钟

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10894

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源—漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在DRAM单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在DRAM单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。

公开(公告)号：CN100530670C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610075339.3

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  李德炯 ,  郑熙根 ,  严甲成

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。

公开(公告)号：CN100527351C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200410057442.6

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李炳讚 ,  崔时荣 ,  金泽中 ,  孙龙勋 ,  丁仁洙

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。

公开(公告)号：CN101038927A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710085556.5

申请日：2007-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡河 ,  李德炯 ,  慎宗哲 ,  李康福

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82

Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底中的光电转换元件的阵列，该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中；衬底中的多个第一结隔离区，每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部，以及衬底中的多个第二结隔离区，每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部；以及衬底中的多个介质隔离区，每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分。在一个实施例中，光电转换元件在第一方向上具有第一间隔，并在第二方向上具有第二间隔，其中对于公共行的光电转换元件来说该第一间隔基本上相同，并且其中对于公共列的光电转换元件来说该第二间隔基本上相同。

公开(公告)号：CN1681103A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510053088.4

申请日：2005-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔诗荣 ,  李炳讃 ,  李钟昱 ,  丁仁洙 ,  李德炯

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。

公开(公告)号：CN1139980C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99106789.4

申请日：1999-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘基 ,  李德炯 ,  催昌植

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 通过在集成电路衬底上制造空间上分开的存储器单元场效应晶体管阵列和外围电路场效应晶体管，制造集成电路存储器器件。存储器单元晶体管包括存储器单元晶体管源和漏区及栅。外围电路晶体管包括外围电路晶体管源和漏区及栅。在存储器单元晶体管源和漏区上形成硅化物阻挡层。在存储器单元晶体管栅、外围电路源和漏区、栅上形成硅化物层。存储器单元晶体管源和漏区上没有硅化物层。可在存储器单元中提供低接触电阻不降低泄漏特性。