公开(公告)号：CN1581431A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410057442.6

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李炳讚 ,  崔时荣 ,  金泽中 ,  孙龙勋 ,  丁仁洙

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。

公开(公告)号：CN103633093A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN101236902B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200810004908.4

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  罗圭泰 ,  金注完 ,  金泽中

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337

Abstract: 去除部分氧化物层的方法包括：通过使反应气与氧化物层反应形成第一副产物，该反应气包含氟和氮，使该反应气与第一副产物反应形成第二副产物，以及去除第二副产物。

公开(公告)号：CN100527351C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200410057442.6

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李炳讚 ,  崔时荣 ,  金泽中 ,  孙龙勋 ,  丁仁洙

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。

公开(公告)号：CN110468389A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910112028.7

申请日：2019-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善龙 ,  金贤洙 ,  李殷沃 ,  金泽中 ,  卢孝贞 ,  柳志元

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。

公开(公告)号：CN103633093B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN101236902A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004908.4

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  罗圭泰 ,  金注完 ,  金泽中

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337

Abstract: 去除部分氧化物层的方法包括：通过使反应气与氧化物层反应形成第一副产物，该反应气包含氟和氮，使该反应气与第一副产物反应形成第二副产物，以及去除第二副产物。

公开(公告)号：CN118678661A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311351564.5

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志勋 ,  金度亨 ,  金莹俊 ,  金泽中 ,  吴然珠 ,  李在珍 ,  张东珠 ,  张书荧

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；以及字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，并且包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

公开(公告)号：CN110468389B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201910112028.7

申请日：2019-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善龙 ,  金贤洙 ,  李殷沃 ,  金泽中 ,  卢孝贞 ,  柳志元

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。

公开(公告)号：CN114582868A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111305971.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩英 ,  金度亨 ,  金泽中 ,  朴承钟 ,  朴在花 ,  赵润宰

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体器件，所述器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离膜和由所述元件隔离膜限定的有源区；字线，所述字线在第一方向上与所述有源区交叉；以及位线结构，所述位线结构位于所述衬底上并连接到所述有源区，所述位线结构在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，所述位线结构包括包含非晶材料或钌的第一单元互连膜、位于所述第一单元互连膜上并沿着所述第一单元互连膜延伸并包含钌的第二单元互连膜以及位于所述第二单元互连膜上并沿着所述第二单元互连膜延伸的单元覆盖膜。