公开(公告)号：CN1681103A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510053088.4

申请日：2005-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔诗荣 ,  李炳讃 ,  李钟昱 ,  丁仁洙 ,  李德炯

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。

公开(公告)号：CN1681103B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200510053088.4

申请日：2005-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔诗荣 ,  李炳讃 ,  李钟昱 ,  丁仁洙 ,  李德炯

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。