公开(公告)号：CN1848443A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610071454.3

申请日：2006-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南丁铉 ,  郑宗完

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明公开了图像传感器和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括具有第一导电类型的半导体基底、具有第二导电类型的深阱。深阱形成于预定深度的半导体基底中以将半导体基底划分为第一导电类型的上部基底区和下部基底区。图像传感器还包括多个集聚对应于入射光的电荷并且包括第一导电类型的离子注入区的单元像素。第一导电类型离子注入区被相互分开。此外，在多个单元像素之中至少一个单元像素还包括位于包含在单元像素区内的第一导电类型离子注入区下面的第一导电类型上部基底区。此外，多个单元像素之中的至少一个单元像素延伸到所述第一导电类型离子注入区之外并且与在多个单元像素的相邻单元像素内包含的第一导电类型离子注入区电隔离。

公开(公告)号：CN1913167A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610151336.3

申请日：2006-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑宗完 ,  李德炯

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  Y10S438/964

Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器单元包括：在其上具有表面的第一导电型的半导体有源区和在有源区中的P－N结光电二极管。驱动晶体管也提供在半导体有源区中。驱动晶体管具有设置以接收在图像摄取操作期间(即在摄取来自图像的光子期间)在P－N结光电二极管中产生的电荷。驱动晶体管具有栅电极和在栅电极下延伸的波状外形沟道区。波状外形沟道区具有比栅电极的长度更长的有效沟道长度。

公开(公告)号：CN100563016C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200610071454.3

申请日：2006-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南丁铉 ,  郑宗完

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明公开了图像传感器和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括具有第一导电类型的半导体基底、具有第二导电类型的深阱。深阱形成于预定深度的半导体基底中以将半导体基底划分为第一导电类型的上部基底区和下部基底区。图像传感器还包括多个集聚对应于入射光的电荷并且包括第一导电类型的离子注入区的单元像素。第一导电类型离子注入区被相互分开。此外，在多个单元像素之中至少一个单元像素还包括位于包含在单元像素区内的第一导电类型离子注入区下面的第一导电类型上部基底区。此外，多个单元像素之中的至少一个单元像素延伸到所述第一导电类型离子注入区之外并且与在多个单元像素的相邻单元像素内包含的第一导电类型离子注入区电隔离。