公开(公告)号：CN1858912A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200610075339.3

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  李德炯 ,  郑熙根 ,  严甲成

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。

公开(公告)号：CN100530670C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610075339.3

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  李德炯 ,  郑熙根 ,  严甲成

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。

公开(公告)号：CN1665033A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510053008.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  南丁铉 ,  卢宰燮

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储器和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。

公开(公告)号：CN100466284C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510053008.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  南丁铉 ,  卢宰燮

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储单元和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。

公开(公告)号：CN1812112A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510118129.3

申请日：2005-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供了CMOS图像传感器设备以及制造该设备的方法，其中用具有垂直栅电极和沟道的非平面晶体管设计有源像素传感器，这可最小化图像滞后和暗电流的影响。

公开(公告)号：CN1674297A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410099771.7

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宰燮 ,  李德炯 ,  南丁铉 ,  柳政澔 ,  金利泰 ,  孔海庆

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

Abstract: 一种用于将信号电荷转换成电压的信号转换器，包括用于接收信号电荷的第一级的第一驱动器FET。后续驱动器FET连接到第一驱动器FET的输出端，且减少了后续驱动器FET的栅极电介质厚度。后续驱动器FET用于第二级或用于第三级。后续驱动器FET的栅极电介质厚度的减少增加了电压增益AVtotal，而不会降低电荷转移效率，因此增强了信号转换器的整体灵敏度。

公开(公告)号：CN1812112B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200510118129.3

申请日：2005-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供了CMOS图像传感器设备以及制造该设备的方法，其中用具有垂直栅电极和沟道的非平面晶体管设计有源像素传感器，这可最小化图像滞后和暗电流的影响。