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公开(公告)号：CN101038927A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710085556.5
申请日：2007-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底中的光电转换元件的阵列，该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中；衬底中的多个第一结隔离区，每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部，以及衬底中的多个第二结隔离区，每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部；以及衬底中的多个介质隔离区，每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分。在一个实施例中，光电转换元件在第一方向上具有第一间隔，并在第二方向上具有第二间隔，其中对于公共行的光电转换元件来说该第一间隔基本上相同，并且其中对于公共列的光电转换元件来说该第二间隔基本上相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1707804A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510075570.8
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 慎宗哲
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 一种图像传感器，其包括：具有第一导电类型的衬底区域；位于所述衬底中具有第二导电类型的光电二极管区域；位于所述衬底表面、并在所述光电二极管区域之上的、具有所述第一导电类型的空穴累积器件(HAD)区域；以及位于所述衬底表面之上、邻近所述HAD区域的传输栅极。所述图像传感器进一步包括：位于所述衬底中的、在所述传输栅极之下对准的、具有第一导电类型的第一沟道区；位于所述衬底中的、在所述传输栅极和第一沟道区之间的、具有第二导电类型的第二沟道区；以及位于所述衬底中的、与所述第二沟道区电接触的浮置扩散区。还公开了制造图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN101038927B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200710085556.5
申请日：2007-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底中的光电转换元件的阵列，该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中；衬底中的多个第一结隔离区，每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部，以及衬底中的多个第二结隔离区，每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部；以及衬底中的多个介质隔离区，每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分。在一个实施例中，光电转换元件在第一方向上具有第一间隔，并在第二方向上具有第二间隔，其中对于公共行的光电转换元件来说该第一间隔基本上相同，并且其中对于公共列的光电转换元件来说该第二间隔基本上相同。
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公开(公告)号：CN102629614A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110455691.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 慎宗哲
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种图像传感器。该图像传感器包括：具有光接收区域的半导体层；以及被插入到所述半导体层内的栅电极；其中，所述光接收区域包括下部杂质区域、上部杂质区域以及被布置在所述下部杂质区域与所述上部杂质区域之间的沟道区域，所述沟道区域具有与所述下部杂质区域和所述上部杂质区域不同的导电类型，并且，所述栅电极被插入到所述沟道区域内，以便具有围绕所述上部杂质区域的闭环形状。
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公开(公告)号：CN102629614B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110455691.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 慎宗哲
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种图像传感器。该图像传感器包括：具有光接收区域的半导体层；以及被插入到所述半导体层内的栅电极；其中，所述光接收区域包括下部杂质区域、上部杂质区域以及被布置在所述下部杂质区域与所述上部杂质区域之间的沟道区域，所述沟道区域具有与所述下部杂质区域和所述上部杂质区域不同的导电类型，并且，所述栅电极被插入到所述沟道区域内，以便具有围绕所述上部杂质区域的闭环形状。
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公开(公告)号：CN100557808C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200510075570.8
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 慎宗哲
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 一种图像传感器，其包括：具有第一导电类型的衬底区域；位于所述衬底中具有第二导电类型的光电二极管区域；位于所述衬底表面、并在所述光电二极管区域之上的、具有所述第一导电类型的空穴累积器件(HAD)区域；以及位于所述衬底表面之上、邻近所述HAD区域的传输栅极。所述图像传感器进一步包括：位于所述衬底中的、在所述传输栅极之下对准的、具有第一导电类型的第一沟道区；位于所述衬底中的、在所述传输栅极和第一沟道区之间的、具有第二导电类型的第二沟道区；以及位于所述衬底中的、与所述第二沟道区电接触的浮置扩散区。还公开了制造图像传感器的方法。
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