-
公开(公告)号：CN1581431A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410057442.6
申请日：2004-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L29/772
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。
-
公开(公告)号：CN1681103B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200510053088.4
申请日：2005-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823481 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/66621
Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。
-
公开(公告)号：CN100527351C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410057442.6
申请日：2004-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L29/772
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。
-
公开(公告)号：CN1681103A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510053088.4
申请日：2005-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823481 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/66621
Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
