公开(公告)号：CN1238558A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN98118804.4

申请日：1998-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  朴钟

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10894

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源—漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在DRAM单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在DRAM单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。

公开(公告)号：CN1146035C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN98118804.4

申请日：1998-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  朴钟

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10894

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源-漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在DRAM单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在DRAM单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。