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公开(公告)号：CN109817264A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811396629.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：衬底；位于所述衬底上的存储器单元阵列；控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为输出擦除使能信号，以用于控制相对于所述存储器单元阵列的擦除操作；衬底偏置电路，所述衬底偏置电路被配置为响应于所述擦除使能信号来在第一延迟时间期间将第一目标电压输出到所述衬底作为衬底偏置电压，并且在所述第一延迟时间之后，将所述衬底偏置电压输出到所述衬底，同时将所述衬底偏置电压的电平逐渐增加到具有比所述第一目标电压高的电平的擦除电压的电平；以及行解码器，所述行解码器被配置为在所述第一延迟时间期间基于所述控制逻辑电路的控制将接地电压施加到接地选择线。
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公开(公告)号：CN116390479A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211678710.0
申请日：2022-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/768
Abstract: 一种制作半导体器件的方法包括：在衬底的第一区域和第二区域上形成绝缘层和外围结构，在所述绝缘层和所述外围结构上形成第一掩膜层和第二掩膜层，图案化所述第一掩膜层和第二掩膜层以在所述第一区域和所述第二区域上形成第一掩膜结构和第二掩膜结构，使用所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构作为蚀刻掩膜蚀刻所述绝缘层以形成绝缘图案，在所述第一区域上在相邻绝缘图案之间的空间中形成牺牲层，通过干蚀刻工艺去除所述第一区域上的所述第二掩膜图案，在去除在所述第一区域上的所述第二掩膜图案之后，在所述第二区域上的所述第二掩膜层的表面上形成抗氧化层，以及通过湿蚀刻工艺去除具有所述抗氧化层的所述第二掩膜层。
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公开(公告)号：CN112700806A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011001338.0
申请日：2020-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 比拉·阿哈默德·扬尤亚 , 金锺律 , V·甘加萨尼 , 李埈圭
IPC: G11C11/16
Abstract: 提供了存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括开关器件以及连接到开关器件并具有相变材料的信息存储器件，所述多个存储器单元连接到多条字线和多条位线；解码器电路，将所述多个存储器单元中的至少一个确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为将编程电流输入到被选存储器单元以执行编程操作，并且被配置为检测被选存储器单元的电阻以调整编程电流的幅值。
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公开(公告)号：CN111161776B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201910915513.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 比拉·阿哈默德·詹久阿 , 维韦克·文卡塔·克耶古 , 朴俊泓 , 李埈圭 , 朴智薰
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储体和编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列，包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元；以及传输元件，通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。
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公开(公告)号：CN118447888A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410152921.3
申请日：2024-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种生成时钟信号的方法包括：从带隙参考电路接收带隙参考电压；基于带隙参考电压生成具有第一曲率特性的第一电流；基于带隙参考电压生成具有第二曲率特性的第二电流；通过将第一电流与第二电流相加来生成第一绝对温度互补(CTAT)电流；从电压生成器接收温度可变电压和温度固定电压；基于温度可变电压和温度固定电压来生成偏移电流；通过将第一CTAT电流与偏移电流相加来生成参考电流；和通过基于参考电流使第一电容器和第二电容器交替放电并基于电源电压对第一电容器和第二电容器充电来生成时钟信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114512164A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111209532.2
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/15
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括限定在第一方向上延伸并且包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的器件隔离图案；字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，位于字线上并且电连接到第一源极/漏极区，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸；位线间隔件，位于位线的侧壁上；存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区，并且跨位线间隔件与位线间隔开；以及介电图案，位于位线间隔件与存储节点接触件之间。位线间隔件包括覆盖位线的侧壁的第一间隔件和位于介电图案与第一间隔件之间的第二间隔件。
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公开(公告)号：CN114373494A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111197854.X
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了包括相变存储单元的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括连接在位线与字线之间的相变存储(PCM)单元。在复位操作期间，X译码器向字线提供字线电压，并且在复位操作期间，Y译码器向位线提供位线电压。电压偏置电路在复位操作的第一时段期间基于第一偏置产生字线电压和位线电压，在复位操作的第二时段期间基于大于第一偏置的第二偏置产生字线电压和位线电压，在复位操作的第三时段期间基于小于第一偏置和第二偏置的第三偏置产生字线电压和位线电压。
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公开(公告)号：CN110942794B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201910462744.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路存储器设备，包括电阻存储器单元的阵列；以及编程电路，通过多个字线和多个位线电耦合到阵列中的电阻存储器单元的相应行和列。编程电路包括控制电路和字线驱动器，控制电路和字线驱动器被共同配置为在用写入数据编程阵列的操作期间生成字线编程电压，字线编程电压具有作为阵列中的电阻存储器单元的行和/或列地址的函数而变化的量值。根据该函数，同具有与之相关联的第一寄生电阻的第一电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值小于同具有与之相关联的第二寄生电阻的第二电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值，第二寄生电阻大于第一寄生电阻。
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公开(公告)号：CN118506820A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311356111.1
申请日：2023-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/12
Abstract: 电压发生电路包括电流发生电路、斜率调整电路和偏移调整电路。电流发生电路连接在输入电压节点和输出节点之间，输出节点输出随着操作温度增加而减小的绝对温度互补(CTAT)输出电压。电流发生电路生成流经输出节点的参考电流，无论操作温度如何，该参考电流都具有恒定的大小。斜率调整电路连接在输出节点和中间节点之间，斜率调整电路基于第一调整代码调节CTAT输出电压的斜率。偏移调整电路连接在中间节点和地电压节点之间。偏移调整电路被配置为基于第二调整代码调节CTAT输出电压的偏移电压。
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公开(公告)号：CN112599167A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010654331.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李埈圭 , 比拉尔·艾哈迈德·詹华亚
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种电阻式存储器件，包括：电阻式存储单元的存储单元阵列，连接到字线和位线，该存储单元阵列的每个存储块包括K个存储片；写入/读取电路，通过行解码器和列解码器连接到存储单元阵列，写入/读取电路被配置为在存储单元阵列的目标存储片中执行写入操作，写入/读取电路包括与存储块相对应的写入驱动器；控制电压生成器，被配置为基于参考电流生成第一控制电压和第二控制电压；以及控制电路，被配置为控制写入/读取电路和控制电压生成器。与存储块中的第一存储块相对应的第一写入驱动器被配置为向目标存储片提供与存储单元阵列中的目标存储片的所选择的存储单元的物理位置相对应的写入电流。
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