公开(公告)号：CN117596880A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310760671.7

申请日：2023-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  金雅凛 ,  郭判硕

IPC: H10B41/41 ,  H10B43/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  G11C5/02

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和存储器封装件。所述非易失性存储器装置包括第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层包括沿着第一方向延伸的字线、沿着第二方向延伸的位线、以及连接到字线和位线的存储器单元阵列。第二半导体层沿着第三方向位于第一半导体层下方，并且包括基底和基底上的地址解码器。地址解码器控制存储器单元阵列，并且包括连接到字线的传输晶体管和控制传输晶体管的驱动器。在第二半导体层中，驱动器沿着第一方向和第二方向通过第一布图图案布置，传输晶体管沿着第一方向和第二方向通过第二布图图案布置。第一布图图案与第二布图图案不同，并且第一布图图案独立于第二布图图案。

公开(公告)号：CN108305655B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201711272709.7

申请日：2017-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  吴荣训 ,  尹治元 ,  李墉焌 ,  林菜昱

IPC: G11C13/00

Abstract: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括：第一主存储单元区域，包括多个第一电阻型存储单元；以及第二缓冲存储单元区域，包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据，并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时，将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。

公开(公告)号：CN107093465B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201710084424.4

申请日：2017-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国

IPC: G11C29/42

Abstract: 根据本发明的示例实施例的数据存储器装置包括非易失性存储器和存储器控制器。在非易失性存储器中，将一个读单元配置为存储多个代码字。如果存储在非易失性存储器中的一个或多个代码字发生错误，则存储器控制器可利用可校正代码字来搜索非易失性存储器的读电压。根据示例实施例的数据存储器装置可在不进行谷搜索操作的情况下预测优化读电压电平。

公开(公告)号：CN114373494A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111197854.X

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李埈圭 ,  朴贤国 ,  金钟律

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了包括相变存储单元的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括连接在位线与字线之间的相变存储(PCM)单元。在复位操作期间，X译码器向字线提供字线电压，并且在复位操作期间，Y译码器向位线提供位线电压。电压偏置电路在复位操作的第一时段期间基于第一偏置产生字线电压和位线电压，在复位操作的第二时段期间基于大于第一偏置的第二偏置产生字线电压和位线电压，在复位操作的第三时段期间基于小于第一偏置和第二偏置的第三偏置产生字线电压和位线电压。

公开(公告)号：CN110827895A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910730562.4

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种电阻式存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接在第一信号线和第二信号线之间的存储器单元；控制电路，其被构造为产生用于控制对存储器单元执行的数据写操作的写控制信号和用于控制对存储在存储器单元中的数据进行读取的数据读操作的读控制信号；写电路，其被构造为供应写电流以支持数据写操作；读电路，其被构造为供应读电流以支持数据读操作；列解码器电路，其被构造为基于写控制信号将写电路电连接至第一信号线；以及行解码器电路，其被构造为基于读控制信号将读电路电连接至第二信号线。

公开(公告)号：CN105575424B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510716402.6

申请日：2015-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹治元 ,  朴贤国 ,  边大锡

IPC: G11C13/00

Abstract: 本公开涉及电阻式存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过在第一置位写间隔期间向连接至所选择的存储单元的第一信号线施加第一电压和向连接至所选择的存储单元的第二信号线施加第二电压，来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。

公开(公告)号：CN107919147A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710883574.1

申请日：2017-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  朴一汉 ,  朴贤国 ,  尹盛远

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5648 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/12

Abstract: 用于对非易失性存储器件进行编程的方法包括：对在非易失性存储器件中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。

公开(公告)号：CN105632558A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510822283.2

申请日：2015-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  尹治元 ,  边大锡

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 本申请公开了包括多电平单元的存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过多个感测操作相对于多电平单元执行第一读操作以确定第一状态；和通过多个感测操作相对于多电平单元执行第二读操作以确定第二状态。在第一读操作中在第一感测操作中使用的第一电压的电平与在第二感测操作中使用的第二电压的电平不同于在第二读操作中在第一感测操作中使用的第三电压的电平与在第二感测操作中使用的第四电压的电平之间的差。

公开(公告)号：CN108630273B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201810213312.9

申请日：2018-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  鲜于桢 ,  尹治元

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提供了一种存储器件的操作方法。使用统计模型来确定存储单元的可变电阻器的电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn。基于电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn来确定可变电阻器的平均电阻Rdyn_avg和β值。然后，使用平均电阻Rdyn_avg和β值来确定连接在存储单元与用于产生电源电压VPGM的电源发生器之间的插入电阻器的电阻Ra。

公开(公告)号：CN107919147B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710883574.1

申请日：2017-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  朴一汉 ,  朴贤国 ,  尹盛远

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12

Abstract: 用于对非易失性存储器进行编程的方法包括：对在非易失性存储器中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。