公开(公告)号：CN114512164A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111209532.2

申请日：2021-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安智英 ,  安容奭 ,  金铉用 ,  严敏燮 ,  魏胄滢 ,  李埈圭 ,  崔允荣

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/15

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括限定在第一方向上延伸并且包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的器件隔离图案；字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，位于字线上并且电连接到第一源极/漏极区，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸；位线间隔件，位于位线的侧壁上；存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区，并且跨位线间隔件与位线间隔开；以及介电图案，位于位线间隔件与存储节点接触件之间。位线间隔件包括覆盖位线的侧壁的第一间隔件和位于介电图案与第一间隔件之间的第二间隔件。

公开(公告)号：CN114464621A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111305601.X

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李埈圭 ,  安志荣 ,  金铉用 ,  具滋玟 ,  安容奭 ,  严敏燮 ,  李相昊 ,  崔允荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底上的有源图案、掩埋在有源图案的上部处的栅极结构、在有源图案上的位线结构、覆盖位线结构的下侧壁的下间隔物结构、在有源图案上且与位线结构相邻的接触插塞结构、以及在接触插塞结构上的电容器。下间隔物结构包括从位线结构的下侧壁在基本平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的第一和第二下间隔物，第一下间隔物包括氧化物，并接触位线结构的下侧壁，但不接触接触插塞结构，并且第二下间隔物包括与第一下间隔物的任何材料不同的材料。