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公开(公告)号：CN110021333B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811408051.2
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种存储器系统，存储器装置包括存储器单元阵列、写/读电路、控制电路和反熔丝阵列。存储器单元阵列包括多个非易失性存储器单元。写/读电路执行写操作以将写数据写入存储器单元阵列的目标页，通过将从目标页读取的读数据与写数据比较来验证写操作，并且基于比较结果输出指示写操作的通过或失败之一的通过/失败信号。控制电路控制写/读电路并且响应于通过/失败信号选择性地输出目标页的访问地址作为失败地址。对失败地址编程的反熔丝阵列输出替代失败地址的修复地址。
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公开(公告)号：CN110021333A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811408051.2
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种存储器系统，存储器装置包括存储器单元阵列、写/读电路、控制电路和反熔丝阵列。存储器单元阵列包括多个非易失性存储器单元。写/读电路执行写操作以将写数据写入存储器单元阵列的目标页，通过将从目标页读取的读数据与写数据比较来验证写操作，并且基于比较结果输出指示写操作的通过或失败之一的通过/失败信号。控制电路控制写/读电路并且响应于通过/失败信号选择性地输出目标页的访问地址作为失败地址。对失败地址编程的反熔丝阵列输出替代失败地址的修复地址。
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公开(公告)号：CN110942794B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201910462744.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路存储器设备，包括电阻存储器单元的阵列；以及编程电路，通过多个字线和多个位线电耦合到阵列中的电阻存储器单元的相应行和列。编程电路包括控制电路和字线驱动器，控制电路和字线驱动器被共同配置为在用写入数据编程阵列的操作期间生成字线编程电压，字线编程电压具有作为阵列中的电阻存储器单元的行和/或列地址的函数而变化的量值。根据该函数，同具有与之相关联的第一寄生电阻的第一电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值小于同具有与之相关联的第二寄生电阻的第二电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值，第二寄生电阻大于第一寄生电阻。
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公开(公告)号：CN108281167B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201711247786.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。
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公开(公告)号：CN109754835A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811239202.6
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0052 , G11C2013/0092 , G11C2213/72 , G11C2213/76
Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108305655A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711272709.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0023 , G11C7/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2207/2245 , G11C13/0009 , G11C13/004
Abstract: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括：第一主存储单元区域，包括多个第一电阻型存储单元；以及第二缓冲存储单元区域，包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据，并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时，将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。
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公开(公告)号：CN109872751B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201811375197.1
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。
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公开(公告)号：CN108305655B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201711272709.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括：第一主存储单元区域，包括多个第一电阻型存储单元；以及第二缓冲存储单元区域，包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据，并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时，将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。
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公开(公告)号：CN112700808A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011031239.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括开关元件和具有相变材料的数据存储元件，并且每个存储器单元连接到多条字线中的一条字线和多条位线中的一条位线；解码器电路，被配置为将所述多个存储器单元中的至少一个确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为：将编程电流输入到被选存储器单元以执行编程操作，检测被选存储器单元的保持电压，并且基于检测的保持电压调节编程电流的大小。当被选存储器单元两端的电压低于保持电压时，被选存储器单元截止。
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