公开(公告)号：CN118447888A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410152921.3

申请日：2024-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智贤 ,  B·A·詹朱厄 ,  尹治元 ,  李埈圭

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/04 ,  G11C5/14 ,  G11C16/34

Abstract: 一种生成时钟信号的方法包括：从带隙参考电路接收带隙参考电压；基于带隙参考电压生成具有第一曲率特性的第一电流；基于带隙参考电压生成具有第二曲率特性的第二电流；通过将第一电流与第二电流相加来生成第一绝对温度互补(CTAT)电流；从电压生成器接收温度可变电压和温度固定电压；基于温度可变电压和温度固定电压来生成偏移电流；通过将第一CTAT电流与偏移电流相加来生成参考电流；和通过基于参考电流使第一电容器和第二电容器交替放电并基于电源电压对第一电容器和第二电容器充电来生成时钟信号。

公开(公告)号：CN103179788A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210564476.9

申请日：2012-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边鹤均 ,  金泰勋 ,  朴智贤 ,  全炳哲 ,  千承振

IPC: H05K1/18

CPC classification number: H01L23/18 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/18161 ,  H05K3/284 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1327 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于模塑底部填充的印刷电路板和印刷电路板模塑结构，其可以扩展印刷电路板的应用范围，并且可以解决在制造半导体封装件的过程中会产生空隙的问题。所述印刷电路板包括：其上安装有多个半导体芯片并且被密封的模塑区域；以及形成在模塑区域周围的外围区域，该外围区域在模塑处理期间接触用于进行模塑的模具，并且该外围区域包括第一截面和与第一截面相对所第二截面，第一截面邻近将模塑材料注入的部分，第二截面邻近将空气排出的部分，其中在模塑区域中布置半导体芯片的有源区域被布置成靠近第一截面。

公开(公告)号：CN109273028B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201810784989.8

申请日：2018-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋教秀 ,  朴智贤 ,  尹治元 ,  金武星

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/30

Abstract: 非易失性存储器设备的电压生成器包括充电电路、电流镜电路、放电电路和输出电路。充电电路放大参考电压与反馈电压之间的差以生成第一电流。电流镜电路连接到充电电路并且基于第一电流生成第二电流。放电电路连接到电流镜电路以汲取第二电流，并且通过基于反映反馈电压的变化的读出电压调节第二电流的放电量来将输出电压放电到目标电平。输出电路连接到电流镜电路，并且将基于第一电流和第二电流的输出电压提供给连接到输出节点的第一字线。

公开(公告)号：CN118645130A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410239506.1

申请日：2024-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B·A·詹朱厄 ,  朴智贤 ,  尹治元 ,  李埈圭

IPC: G11C5/14

Abstract: 一种存储设备，其包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元；控制逻辑，其配置成控制关于所述多个存储单元的存储操作；以及电压发生器，其配置成输出用于所述存储操作的电压。所述电压发生器包括：电荷泵，其配置成产生所述电压；以及峰值控制电路，其配置成感测从对其施加外部电压的焊盘流到所述电荷泵的电流，并基于所感测的结果将所述电流的峰值控制为阈值水平或更低。

公开(公告)号：CN118398048A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410078334.4

申请日：2024-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智贤 ,  李埈圭 ,  金儒旼 ,  尹治元 ,  李恩赞

IPC: G11C11/4074 ,  G11C11/4063 ,  G11C16/14

Abstract: 本公开提供了包括噪声消除电路的存储器装置和系统及其操作方法。在一些实施例中，存储器设备包括第一焊盘、包括多个存储器单元的存储器单元平面、页缓冲电路和噪声消除电路。页缓冲电路被配置为感测存储器单元平面，并且基于对存储器单元平面的感测，根据接地电压识别多个存储器单元中的存储器单元中存储的状态。噪声消除电路被配置为从第一焊盘接收第一接地电压，基于第一接地电压确定参考电压，基于参考电压生成抵消了噪声电压的第二接地电压，并将第二接地电压输出到页缓冲电路。

公开(公告)号：CN118366492A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311390197.X

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智贤 ,  李埈圭 ,  金儒旼 ,  尹治元 ,  李恩赞

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  G11C7/12 ,  G11C7/10 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了一种存储器件及其操作方法、存储系统。所述存储器件包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；电压发生器，该电压发生器被配置为输出根据存储器件的温度变化而变化的第一电压、不管所述温度如何都不变的第二电压、以及施加到多条字线和多条位线当中的至少一条线的第一参考电压；以及温度补偿电路，该温度补偿电路包括至少一个电阻器且被配置为基于第一电压和第二电压经由至少一个放大器生成补偿偏移电压，并基于第一参考电压和补偿偏移电压输出第二参考电压。

公开(公告)号：CN102104035A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010594275.4

申请日：2010-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兴奎 ,  罗珉玉 ,  朴晟佑 ,  朴智贤 ,  朴寿珉

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  G05B19/04

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/552 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种堆叠半导体封装及其制造方法以及包括该封装的系统。一种装置包括具有第一焊区的第一衬底和具有第二焊区的第二衬底。第一塑封料设置于第一衬底和第二衬底之间。第一半导体芯片设置于第一衬底上且接触第一塑封料。第一连接器接触第一焊区，第二连接器接触第二焊区。第二连接器设置在第一连接器上。第二连接器的体积大于第一连接器的体积。第一半导体芯片的表面被暴露。第一塑封料接触第二连接器，并且第二连接器的至少一部分被第一塑封料围绕。

公开(公告)号：CN118506820A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311356111.1

申请日：2023-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金儒旼 ,  李埈圭 ,  朴智贤 ,  尹治元 ,  李恩赞

IPC: G11C7/12

Abstract: 电压发生电路包括电流发生电路、斜率调整电路和偏移调整电路。电流发生电路连接在输入电压节点和输出节点之间，输出节点输出随着操作温度增加而减小的绝对温度互补(CTAT)输出电压。电流发生电路生成流经输出节点的参考电流，无论操作温度如何，该参考电流都具有恒定的大小。斜率调整电路连接在输出节点和中间节点之间，斜率调整电路基于第一调整代码调节CTAT输出电压的斜率。偏移调整电路连接在中间节点和地电压节点之间。偏移调整电路被配置为基于第二调整代码调节CTAT输出电压的偏移电压。

公开(公告)号：CN109273028A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201810784989.8

申请日：2018-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋教秀 ,  朴智贤 ,  尹治元 ,  金武星

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/30

Abstract: 非易失性存储器设备的电压生成器包括充电电路、电流镜电路、放电电路和输出电路。充电电路放大参考电压与反馈电压之间的差以生成第一电流。电流镜电路连接到充电电路并且基于第一电流生成第二电流。放电电路连接到电流镜电路以汲取第二电流，并且通过基于反映反馈电压的变化的读出电压调节第二电流的放电量来将输出电压放电到目标电平。输出电路连接到电流镜电路，并且将基于第一电流和第二电流的输出电压提供给连接到输出节点的第一字线。