电压发生电路和包括电压发生电路的半导体存储器设备

    公开(公告)号:CN118506820A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202311356111.1

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 电压发生电路包括电流发生电路、斜率调整电路和偏移调整电路。电流发生电路连接在输入电压节点和输出节点之间,输出节点输出随着操作温度增加而减小的绝对温度互补(CTAT)输出电压。电流发生电路生成流经输出节点的参考电流,无论操作温度如何,该参考电流都具有恒定的大小。斜率调整电路连接在输出节点和中间节点之间,斜率调整电路基于第一调整代码调节CTAT输出电压的斜率。偏移调整电路连接在中间节点和地电压节点之间。偏移调整电路被配置为基于第二调整代码调节CTAT输出电压的偏移电压。

    存储器设备及其操作方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118398048A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410078334.4

    申请日:2024-01-18

    Abstract: 本公开提供了包括噪声消除电路的存储器装置和系统及其操作方法。在一些实施例中,存储器设备包括第一焊盘、包括多个存储器单元的存储器单元平面、页缓冲电路和噪声消除电路。页缓冲电路被配置为感测存储器单元平面,并且基于对存储器单元平面的感测,根据接地电压识别多个存储器单元中的存储器单元中存储的状态。噪声消除电路被配置为从第一焊盘接收第一接地电压,基于第一接地电压确定参考电压,基于参考电压生成抵消了噪声电压的第二接地电压,并将第二接地电压输出到页缓冲电路。

    存储器件及其操作方法、存储系统

    公开(公告)号:CN118366492A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202311390197.X

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 提供了一种存储器件及其操作方法、存储系统。所述存储器件包括:存储单元阵列,该存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元;电压发生器,该电压发生器被配置为输出根据存储器件的温度变化而变化的第一电压、不管所述温度如何都不变的第二电压、以及施加到多条字线和多条位线当中的至少一条线的第一参考电压;以及温度补偿电路,该温度补偿电路包括至少一个电阻器且被配置为基于第一电压和第二电压经由至少一个放大器生成补偿偏移电压,并基于第一参考电压和补偿偏移电压输出第二参考电压。

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