公开(公告)号：CN109830466B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201910150160.7

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN115910978A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210724273.5

申请日：2022-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金知晃 ,  沈钟辅 ,  朴镇右

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装基板，具有分别包括多个第一下表面焊盘和多个第一上表面焊盘的下表面和上表面；第二封装基板，具有分别包括多个第二下表面焊盘和多个第二上表面焊盘的下表面和上表面，其中，所述多个第二上表面焊盘包括位于所述第二封装基板的上表面处的所有上表面焊盘；半导体芯片，设置在所述第一封装基板和所述第二封装基板之间并且附接到所述第一封装基板上；以及多个金属芯结构，将所述多个第一上表面焊盘中的一些第一上表面焊盘连接到所述多个第二下表面焊盘中的一些第二下表面焊盘并且不与所述多个第二上表面焊盘中的任何第二上表面焊盘垂直交叠，每个所述金属芯结构具有金属芯。

公开(公告)号：CN113270329A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110046610.5

申请日：2021-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镐 ,  朴镇右 ,  李锡贤 ,  张在权 ,  全光宰

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括：在第一载体基底上形成剥离层，其中，剥离层包括第一部分和第二部分，其中，第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有比第一厚度厚的第二厚度；在剥离层上形成阻挡层；在阻挡层上形成重新分布层，其中，重新分布层包括布线和绝缘层；将半导体芯片安装在重新分布层上；在重新分布层上形成模制层以至少部分地围绕半导体芯片；将第二载体基底附着到模制层上；去除第一载体基底和剥离层；去除阻挡层；以及将焊球附着到通过去除阻挡层与剥离层的第二部分而暴露的重新分布层上。

公开(公告)号：CN105453255B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201380078824.4

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN107154388A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710117489.4

申请日：2017-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳龙 ,  朴镇右 ,  任忠彬 ,  闵胤智

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/481

Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；互连基底，在基底上与半导体芯片分隔开并包括位于其中的导电构件；焊球，位于互连基底上并电连接到导电构件；聚合物层，位于互连基底和半导体芯片上，并且包括通过其暴露焊球的开口；以及聚合物颗粒，位于焊球中，并且包括与聚合物层相同的材料。

公开(公告)号：CN105453255A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380078824.4

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L21/563 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN117238880A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310331827.X

申请日：2023-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  朴智镛 ,  朴镇右

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装包括：封装衬底；衬底焊盘，设置在封装衬底的顶表面上；至少一个芯球，在至少一个衬底焊盘上；重分布衬底，设置在封装衬底的顶表面上；以及半导体芯片，安装在重分布衬底上。重分布衬底通过设置在重分布衬底的底表面上的多个焊球电连接到封装衬底。至少一个芯球电连接到重分布衬底。至少一个芯球的直径大于多个焊球中的每个焊球的直径。

公开(公告)号：CN107154388B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201710117489.4

申请日：2017-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳龙 ,  朴镇右 ,  任忠彬 ,  闵胤智

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；互连基底，在基底上与半导体芯片分隔开并包括位于其中的导电构件；焊球，位于互连基底上并电连接到导电构件；聚合物层，位于互连基底和半导体芯片上，并且包括通过其暴露焊球的开口；以及聚合物颗粒，位于焊球中，并且包括与聚合物层相同的材料。

公开(公告)号：CN112447529A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010844089.5

申请日：2020-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镐 ,  朴镇右 ,  张在权 ,  全光宰

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

Abstract: 制造半导体封装件的方法可包括：在第一载体上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括暴露第一阻挡层的至少一部分的开口的牺牲层；在第一阻挡层上和牺牲层上形成第二阻挡层。第二阻挡层可包括形成在牺牲层上的部分。所述方法还可包括在开口中形成第一绝缘层，第一绝缘层突出超过第二阻挡层的所述部分的顶表面，第一绝缘层的顶表面比第二阻挡层的所述部分的顶表面更远离第一阻挡层；在第一绝缘层上和第二阻挡层上形成包括再分布层和第二绝缘层的再分布结构；在再分布结构上安装半导体芯片；将第二载体附着到半导体芯片上并去除第一载体；去除第一阻挡层、牺牲层和第二阻挡层以暴露再分布结构的部分；和分别在再分布结构的所述部分上形成焊料球。

公开(公告)号：CN106531636A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610801613.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡贤 ,  崔允硕 ,  赵泰济 ,  朴镇右

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/83

Abstract: 提供了制造半导体芯片封装件和制造半导体封装件的方法。制造半导体封装件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面背对的第二表面的封装基底；将第一半导体芯片设置在封装基底上，所述第一半导体芯片具有面对封装基底的第二表面的第一表面、与第一半导体芯片的第一表面背对的第二表面以及从第一半导体芯片的第一表面延伸到第一半导体芯片的第二表面的侧表面；设置覆盖第一半导体芯片的侧表面并且覆盖封装基底的第二表面的模塑层；在第一半导体芯片的侧表面外部设置多个穿过模塑导电通路。穿过模塑导电通路可以在形成模塑层之前形成并且可以贯穿模塑层。穿过模塑导电通路可以延伸超过模塑层的第一表面。