公开(公告)号：CN103871980B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201310682942.8

申请日：2013-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兴奎 ,  金钟局

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/04 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/071 ,  H01L25/115 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227

Abstract: 提供了一种具有改善的性能和可靠性的半导体封装件和用于路由半导体封装件的方法。半导体封装件包括：处理芯片，包括位于第一侧用于输出第一信号的第一引脚和位于第二侧用于输出与第一信号不同的第二信号的第二引脚；基板，其上具有处理芯片，基板包括电连接到第一引脚的第一凸球和电连接到第二引脚的第二凸球，其中，第一凸球和第二凸球在基板的第一侧和第二侧中的一个处相邻。

公开(公告)号：CN103545266A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310286782.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟局 ,  朴寿珉 ,  朴秀贞 ,  白宝娜 ,  任浩赫 ,  张炳旭 ,  郑允河

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/522 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。封装件基底包括孔，所述孔可用于在无任何孔隙的情况下形成成型层。成型层可以被部分地去除以暴露下导电图案。因此，能够改善焊料焊球的可布线性。

公开(公告)号：CN109830466B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201910150160.7

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN113871377A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110732057.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘源 ,  具俊谟 ,  金延姝 ,  金尹熙 ,  金钟局 ,  李斗焕 ,  李政昊

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装件，包括：基底衬底；插件封装件，其设置在基底衬底上；以及第一半导体芯片和第二半导体芯片，它们设置在插件封装件上，插件封装件包括：第一重新分布层；桥接芯片，其包括桥接电路；以及竖直连接结构，其包括多个布线层，并且其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个通过第一重新分布层电连接到桥接电路和多个布线层。

公开(公告)号：CN118824975A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202311478605.7

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金钟局 ,  吴政达

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装可以包括：重分布层结构；半导体结构，在重分布层结构上；印刷电路板，在重分布层结构上并绕半导体结构的侧表面延伸；模制材料，重分布层结构上绕半导体结构延伸；以及硅中介层，在印刷电路板和模制材料上。

公开(公告)号：CN103545266B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201310286782.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟局 ,  朴寿珉 ,  朴秀贞 ,  白宝娜 ,  任浩赫 ,  张炳旭 ,  郑允河

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/522 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。封装件基底包括孔，所述孔可用于在无任何孔隙的情况下形成成型层。成型层可以被部分地去除以暴露下导电图案。因此，能够改善焊料焊球的可布线性。

公开(公告)号：CN119314971A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410175447.6

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金钟局

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 根据实施例的半导体封装可以包括：再分布层结构；第一半导体堆叠结构，位于再分布层结构的上表面上，其中，第一半导体堆叠结构包括第一小芯片和设置在第一小芯片上的第二小芯片；第二半导体堆叠结构，位于再分布层结构的上表面上，并且与第一半导体堆叠结构并排。桥接管芯，在第一半导体堆叠结构和第二半导体堆叠结构之间形成电连接，桥接管芯设置在第一半导体堆叠结构和第二半导体堆叠结构的上方；以及表面安装器件(SMD)，设置在第一半导体堆叠结构和第二半导体堆叠结构中的至少一个的上表面上。

公开(公告)号：CN109830466A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910150160.7

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN105453255B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201380078824.4

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN105453255A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380078824.4

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L21/563 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。