公开(公告)号：CN117355991A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037209.8

申请日：2022-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宅善 ,  朴赞周 ,  郑俊基 ,  徐廷宇 ,  李昇润 ,  郑东珍

IPC: H01Q5/50

Abstract: 一种层叠式贴片天线包括：包括第一上部孔的上部接地板、提供在上部接地板上的第一馈电焊盘、沿着第一方向从第一馈电焊盘延伸的第一馈电线、提供在第一馈电焊盘上的下部天线贴片、提供在下部天线贴片上的上部天线贴片、提供在第一上部孔中的第一上部焊盘、以及从第一上部焊盘的侧表面突出的第一上部短截线。

公开(公告)号：CN118251800A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075250.4

申请日：2022-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐廷宇 ,  郑俊基 ,  权宅善 ,  朴赞周 ,  郑东珍 ,  魏尚赫 ,  李昇润

IPC: H01Q1/24 ,  H01Q9/04

Abstract: 本公开涉及用于支持比诸如LTE的4G通信系统更高的数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开的实施例，包括天线模块的电子设备包括：用于与外部电子设备通信的通信模块；第一天线模块，包括多个第一天线单元和围绕多个第一天线单元的第一虚拟单元；以及控制器，用于控制通信模块和第一天线模块。多个第一天线单元中的每一个可以被配置为具有第一尺寸，并且第一虚拟单元中的每一个可以被配置为具有小于第一尺寸的第二尺寸。

公开(公告)号：CN103383935B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310159593.1

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN103383935A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310159593.1

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN1595618A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410047417.X

申请日：2004-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昶源 ,  金太龙 ,  金宗范 ,  徐廷宇 ,  边昌柱

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541

Abstract: 一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风，以及从室净化通风气体。

公开(公告)号：CN107833872B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201710930511.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN107833872A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710930511.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。