公开(公告)号：CN109427788B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201810666188.1

申请日：2018-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准原 ,  高在康 ,  文锦妃 ,  崔炳德

IPC: H10B12/00

Abstract: 第一位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构与第一位线结构之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口，并且插置在第一接触结构与第一位线结构之间。具有间隙部分的盖绝缘图案插置在第一接触结构与第二接触结构之间。间隙部分具有向下减小的宽度。空气覆盖图案覆盖该盖绝缘图案以密封第一分离空间。

公开(公告)号：CN111009491B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN201910892512.6

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  金长燮

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开提供了半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法可包括：在衬底上形成包括模制层、缓冲层和支承层的模制结构；对模制结构执行各向异性蚀刻处理，以在模制结构中形成多个通孔；以及在通孔中形成多个底电极。缓冲层的氮含量在从模制层接近支承层的方向上增大。缓冲层的氧含量在从支承层接近模制层的方向上增大。

公开(公告)号：CN103383935B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310159593.1

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN103383935A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310159593.1

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN111180506B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201910680569.X

申请日：2019-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准原 ,  权赫宇 ,  金益秀 ,  崔炳德

IPC: H01L29/06 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构在所述衬底上并且包括焊盘图案，所述焊盘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；多个下电极，所述多个下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上；以及氢供应层，所述氢供应层包含氢，位于所述下电极之间，并且比所述介电层更靠近所述衬底。

公开(公告)号：CN107833872B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201710930511.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN112018117A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010404700.2

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  任智芸

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底；第一导电图案，位于基底上；第二导电图案，位于基底上，并与第一导电图案间隔开；空气间隔件，位于第一导电图案与第二导电图案之间；以及量子点图案，覆盖空气间隔件的上部。

公开(公告)号：CN111009491A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910892512.6

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  金长燮

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开提供了半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法可包括：在衬底上形成包括模制层、缓冲层和支承层的模制结构；对模制结构执行各向异性蚀刻处理，以在模制结构中形成多个通孔；以及在通孔中形成多个底电极。缓冲层的氮含量在从模制层接近支承层的方向上增大。缓冲层的氧含量在从支承层接近模制层的方向上增大。

公开(公告)号：CN107833872A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710930511.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN115720485A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202210993301.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋成旼 ,  权赫宇 ,  金东佑 ,  崔炳德

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一焊盘，位于在第一方向和第二方向上延伸的衬底上；下电极，连接到第一焊盘并且设置在第一焊盘上；第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层，设置在下电极的侧壁上，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上彼此顺序地间隔开；电介质膜，设置在下电极以及第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层上；以及上电极，设置在电介质膜上。下电极的在第一支撑体层和第二支撑体层之间的侧壁和下电极的在第二支撑体层和第三支撑体层之间的侧壁中的至少一者包括第一部分和第二部分，第一部分包括在第一方向上延伸的突起，第二部分不包括突起。