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公开(公告)号：CN1595618A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410047417.X
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32541
Abstract: 一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风，以及从室净化通风气体。
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