公开(公告)号：CN1207761C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN01144821.0

申请日：2001-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗元 ,  金太龙 ,  许鲁铉 ,  崔昶源 ,  崔炳旭

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  C23F1/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明公开了一种气体喷射器，其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括：陶瓷材料块形式的主体；和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分，而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分，每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出，并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。

公开(公告)号：CN1595618A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410047417.X

申请日：2004-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昶源 ,  金太龙 ,  金宗范 ,  徐廷宇 ,  边昌柱

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541

Abstract: 一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风，以及从室净化通风气体。

公开(公告)号：CN1365138A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01144821.0

申请日：2001-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗元 ,  金太龙 ,  许鲁铉 ,  崔昶源 ,  崔炳旭

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明公开了一种气体喷射器,其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括:陶瓷材料块形式的主体;和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分,而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分,每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出,并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。