公开(公告)号：CN101752246A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253465.7

申请日：2009-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具泰亨 ,  崔三宗 ,  金泰成 ,  曹圭彻 ,  崔埈荣 ,  金熹声 ,  金娟淑

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L25/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备。处理半导体晶片的方法包括：将晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均约每秒100℃或更高的第一变温速率将晶片从预热温度加热到峰值温度；以及在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将晶片从峰值温度冷却到预热温度，其中峰值温度为约1100℃或更高。

公开(公告)号：CN106992113A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710009776.3

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟洙 ,  崔三宗 ,  金秀莲 ,  具泰亨 ,  朱炫姬 ,  金清俊 ,  俞智原

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法。该半导体晶片包括：包含彼此相对的第一和第二表面的主体；包含在外周上的凹陷的凹口；沿主体的外周形成的第一倒角区域，第一倒角区域包括第一斜坡，第一斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第一斜坡交汇的第一点到第二表面和第一斜坡交汇的第二点延伸的直线具有第一高度；以及与凹陷或开口接触的第二倒角区域，第二倒角区域包括第二斜坡，第二斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第二斜坡交汇的第三点到第二表面和第二斜坡交汇的第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度。

公开(公告)号：CN106992113B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201710009776.3

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟洙 ,  崔三宗 ,  金秀莲 ,  具泰亨 ,  朱炫姬 ,  金清俊 ,  俞智原

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法。该半导体晶片包括：包含彼此相对的第一和第二表面的主体；包含在外周上的凹陷的凹口；沿主体的外周形成的第一倒角区域，第一倒角区域包括第一斜坡，第一斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第一斜坡交汇的第一点到第二表面和第一斜坡交汇的第二点延伸的直线具有第一高度；以及与凹陷或开口接触的第二倒角区域，第二倒角区域包括第二斜坡，第二斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第二斜坡交汇的第三点到第二表面和第二斜坡交汇的第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度。

公开(公告)号：CN118689047A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410314636.7

申请日：2024-03-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 姜律 ,  权泰熹 ,  金东俊 ,  徐娥滥 ,  郑美莲 ,  崔三宗 ,  权五焕 ,  金珉岐 ,  金宰贤 ,  辛成健 ,  柳承律 ,  李熙敬

IPC: G03F7/42 ,  C11D7/26

Abstract: 提供稀释剂组合物和通过使用所述稀释剂组合物处理基板表面的方法，所述稀释剂组合物可普遍用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂以及KrF和ArF光致抗蚀剂并且在减胶涂覆(RRC)和边缘珠状物除去(EBR)方面呈现出改善的性能并且具有优异的管道清洁能力。所述稀释剂组合物包括C2‑C4亚烷基二醇C1‑C4烷基醚乙酸酯、C2‑C3亚烷基二醇C1‑C4烷基醚、和环酮。

公开(公告)号：CN101154575A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710092027.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔三宗 ,  曹圭徹 ,  崔秀烈 ,  金勇权 ,  朴永秀 ,  印璨国 ,  朴海珍 ,  金相植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/265 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887

Abstract: 形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层。将从元素周期表的4族选择的且具有小于大约0.5厘米每秒(cm2/s)的热扩散率的元素的离子注入到该介质层中，以在介质层中形成电荷存储区，隧道介质层在该电荷存储区下，而帽盖介质层在该电荷存储区之上。对包括该金属氧化物介质层的衬底热处理，以在该电荷存储区中形成多个离散的电荷存储纳米晶体。在该介质层上形成栅电极层。