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公开(公告)号:CN106992113B
公开(公告)日:2020-03-03
申请号:CN201710009776.3
申请日:2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法。该半导体晶片包括:包含彼此相对的第一和第二表面的主体;包含在外周上的凹陷的凹口;沿主体的外周形成的第一倒角区域,第一倒角区域包括第一斜坡,第一斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第一斜坡交汇的第一点到第二表面和第一斜坡交汇的第二点延伸的直线具有第一高度;以及与凹陷或开口接触的第二倒角区域,第二倒角区域包括第二斜坡,第二斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第二斜坡交汇的第三点到第二表面和第二斜坡交汇的第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度。
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公开(公告)号:CN118613818A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202280067767.9
申请日:2022-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据各种实施例的电子装置包括:通信模块,其使得能够与外部装置通信;显示器;存储器;以及处理器,其可操作地连接到通信模块。处理器可以:至少部分地响应于用户的输入,在显示器上显示与支付信息相关联的至少一个图像和/或文本;依照用户的认证被确认,确定是否开始使用电子装置的支付过程;依照外部装置被确认为已经接近到离电子装置预定距离内,向外部装置发送用于请求认证的第一信号;依照外部装置的认证被确认,借助于通信模块发送与支付过程相关联的第二信号;依照确认了外部装置对第二信号的响应,确定是否完成了使用电子装置的支付过程;依照确定支付过程完成了,借助于通信模块向外部装置发送指示了支付过程完成的第三信号;以及依照在第三信号被发送之后的预定时间内未确认出外部装置对第三信号的响应,将外部装置控制为处于不可交易状态。
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公开(公告)号:CN118238069A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202311767534.2
申请日:2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B24B53/017 , B24B49/12
Abstract: 一种用于CMP装置的清洁器包括清洁体、多个清洁喷嘴、视觉系统和控制器。清洁体可以布置在配置为保持基板的CMP装置的抛光头下方。清洁体可以被配置为接收用于清洁抛光头的清洁溶液。清洁喷嘴可以布置在清洁体处以将清洁溶液喷射到抛光头。视觉系统可以对清洁溶液可喷射到其的抛光头拍照以获得抛光头的图像。控制器可以基于抛光头的图像单独地控制从清洁喷嘴喷射的清洁溶液的量。因此,在基板处不会产生由缺陷引起的划痕。
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公开(公告)号:CN112740209A
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN201980061881.9
申请日:2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明的各个实施例涉及用于通过使用安全元件来提供服务的电子装置及其操作方法。所述电子装置包括:处理器,所述处理器用于获取所述电子装置的安全状态信息;以及安全元件,所述安全元件在所述处理器的控制下操作,从所述处理器接收所述电子装置的安全状态信息,并包括用于存储接收到的所述电子装置的安全状态信息的存储库,其中,所述安全元件感测安全相关服务请求命令,从所述存储库获取关于所述电子装置的安全状态信息,以及能够基于所获取的所述电子装置的安全状态信息是否满足指定条件来对感测到的安全相关服务请求命令进行处理或忽略。其他实施例也是可行的。
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公开(公告)号:CN106992113A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201710009776.3
申请日:2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法。该半导体晶片包括:包含彼此相对的第一和第二表面的主体;包含在外周上的凹陷的凹口;沿主体的外周形成的第一倒角区域,第一倒角区域包括第一斜坡,第一斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第一斜坡交汇的第一点到第二表面和第一斜坡交汇的第二点延伸的直线具有第一高度;以及与凹陷或开口接触的第二倒角区域,第二倒角区域包括第二斜坡,第二斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第二斜坡交汇的第三点到第二表面和第二斜坡交汇的第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度。
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