公开(公告)号：CN101154575A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710092027.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔三宗 ,  曹圭徹 ,  崔秀烈 ,  金勇权 ,  朴永秀 ,  印璨国 ,  朴海珍 ,  金相植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/265 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887

Abstract: 形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层。将从元素周期表的4族选择的且具有小于大约0.5厘米每秒(cm2/s)的热扩散率的元素的离子注入到该介质层中，以在介质层中形成电荷存储区，隧道介质层在该电荷存储区下，而帽盖介质层在该电荷存储区之上。对包括该金属氧化物介质层的衬底热处理，以在该电荷存储区中形成多个离散的电荷存储纳米晶体。在该介质层上形成栅电极层。

公开(公告)号：CN1758409A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510088546.8

申请日：2005-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勇权 ,  李在哲 ,  姜成镐 ,  李相哲 ,  郑义庸

IPC: H01J27/08 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/082

Abstract: 一种用于电离源气体的离子源包括限定电弧室以接收源气体的电弧室外壳。电弧室具有第一区域和第二区域。电子发射装置布置在邻近第一区域的电弧室中以及用于发射电子到第一和第二区域中以电离源气体。电子反射装置布置在邻近第二区域的电弧室中以及用于反射从电子发射装置发射的至少一些电子到第二区域中。供气系统用于将源气体直接提供到第一区域和第二区域中。根据某些实施例，与提供到电弧室的其他区域中相比，供气系统用于提供更大质量流速的源气体到第一和第二区域中。