公开(公告)号：CN101752246A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253465.7

申请日：2009-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具泰亨 ,  崔三宗 ,  金泰成 ,  曹圭彻 ,  崔埈荣 ,  金熹声 ,  金娟淑

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L25/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备。处理半导体晶片的方法包括：将晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均约每秒100℃或更高的第一变温速率将晶片从预热温度加热到峰值温度；以及在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将晶片从峰值温度冷却到预热温度，其中峰值温度为约1100℃或更高。

公开(公告)号：CN119028977A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410048377.8

申请日：2024-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成珉 ,  金娟淑 ,  李允姬 ,  金叡灿

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；源/漏图案，在半导体衬底上沿第一方向间隔开；以及沟道图案，在半导体衬底上，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案在源/漏图案中的相邻的源/漏图案之间，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案包括多个半导体图案，并且多个半导体图案沿垂直于半导体衬底的上表面的第二方向彼此间隔开，其中，半导体衬底包括{110}晶面，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案包括表面图案，其中，表面图案包括第一表面和第二表面，其中，第一表面包括突出边缘，其中，第二表面通过突出边缘分别连接到第一表面，并且其中，突出边缘沿第三方向布置。

公开(公告)号：CN110797386A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910285120.3

申请日：2019-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁智 ,  高德吉 ,  金娟淑

IPC: H01L29/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体衬底、半导体外延衬底、集成电路装置及其制造方法。半导体衬底包括：主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从平行于晶面的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°；以及凹口，所述凹口在所述主表面的沿所述第一径向的边缘处朝向所述第一方向设置。

公开(公告)号：CN109979988B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201811070399.5

申请日：2018-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金娟淑 ,  李仁智 ,  高德吉 ,  郑宇胜

IPC: H01L29/06

Abstract: 提供了一种半导体晶片。所述半导体晶片包括：晶片本体，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及斜面部分，其沿着所述晶片本体的外周缘设置并且包括倾斜表面、最外侧点、第一表面端部部分和第二表面端部部分，所述第一表面端部部分将所述斜面部分与所述第一表面连接，所述第二表面端部部分将所述斜面部分与所述第二表面连接。所述倾斜表面的第一切线方向和所述第一表面之间的第一斜角对应于流体在所述第一表面上的毛细作用力，并且所述第一表面端部部分与所述最外侧点之间的沿着与所述第一表面基本平行的第一方向的第一斜面长度对应于第一表面平坦度。

公开(公告)号：CN109979988A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811070399.5

申请日：2018-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金娟淑 ,  李仁智 ,  高德吉 ,  郑宇胜

IPC: H01L29/06

Abstract: 提供了一种半导体晶片。所述半导体晶片包括：晶片本体，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及斜面部分，其沿着所述晶片本体的外周缘设置并且包括倾斜表面、最外侧点、第一表面端部部分和第二表面端部部分，所述第一表面端部部分将所述斜面部分与所述第一表面连接，所述第二表面端部部分将所述斜面部分与所述第二表面连接。所述倾斜表面的第一切线方向和所述第一表面之间的第一斜角对应于流体在所述第一表面上的毛细作用力，并且所述第一表面端部部分与所述最外侧点之间的沿着与所述第一表面基本平行的第一方向的第一斜面长度对应于第一表面平坦度。