公开(公告)号：CN101154575A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710092027.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔三宗 ,  曹圭徹 ,  崔秀烈 ,  金勇权 ,  朴永秀 ,  印璨国 ,  朴海珍 ,  金相植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/265 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887

Abstract: 形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层。将从元素周期表的4族选择的且具有小于大约0.5厘米每秒(cm2/s)的热扩散率的元素的离子注入到该介质层中，以在介质层中形成电荷存储区，隧道介质层在该电荷存储区下，而帽盖介质层在该电荷存储区之上。对包括该金属氧化物介质层的衬底热处理，以在该电荷存储区中形成多个离散的电荷存储纳米晶体。在该介质层上形成栅电极层。

公开(公告)号：CN100482868C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN98100416.4

申请日：1998-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在槿 ,  曹圭徹 ,  李坤燮

IPC: C30B15/20

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种硅锭按一拉晶速率分布下进行，其拉速要足够高以限制间隙凝聚，且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片，每个晶片在中央具有富含空位区，包括空位凝聚，和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区，无空位凝聚和间隙凝聚。按照本发明的另一方面，晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭，其拉速要足够高以便防止间隙凝聚，且还要足够低以便防止空位凝聚。因此，当将该晶锭切割成晶片时，晶片为纯硅晶片，可包含点缺陷，但无空位凝聚团的间隙凝聚团。

公开(公告)号：CN1548590A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN200310124860.8

申请日：1998-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在槿 ,  曹圭徹 ,  李坤燮

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种硅锭按一拉晶速率分布下进行，其拉速要足够高以限制填隙聚集，且还要足够低以便将空位聚集限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片，每个晶片在中央具有富含空位区，包括空位聚集，和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区，无空位聚集和填隙聚集。按照本发明的另一方面，晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭，其拉速要足够高以便防止填隙聚集，且还要足够低以便防止空位聚集。因此，当将该晶锭切割成晶片时，晶片为纯硅晶片，可包含点缺陷，但无空位聚集团的填隙聚集团。

公开(公告)号：CN1206755A

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：CN98100416.4

申请日：1998-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在槿 ,  曹圭徹 ,  李坤燮

IPC: C30B15/20

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种硅锭按一拉晶速率分布下进行,其拉速要足够高以限制间隙凝聚,且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片,每个晶片在中央具有富含空位区,包括空位凝聚,和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区,无空位凝聚和间隙凝聚。按照本发明的另一方面,晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭,其拉速要足够高以便防止间隙凝聚,且还要足够低以便防止空位凝聚。因此,当将该晶锭切割成晶片时,晶片为纯硅晶片,可包含点缺陷,但无空位凝聚团的间隙凝聚团。