公开(公告)号：CN101154575A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710092027.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔三宗 ,  曹圭徹 ,  崔秀烈 ,  金勇权 ,  朴永秀 ,  印璨国 ,  朴海珍 ,  金相植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/265 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887

Abstract: 形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层。将从元素周期表的4族选择的且具有小于大约0.5厘米每秒(cm2/s)的热扩散率的元素的离子注入到该介质层中，以在介质层中形成电荷存储区，隧道介质层在该电荷存储区下，而帽盖介质层在该电荷存储区之上。对包括该金属氧化物介质层的衬底热处理，以在该电荷存储区中形成多个离散的电荷存储纳米晶体。在该介质层上形成栅电极层。

公开(公告)号：CN119584536A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202410855186.2

申请日：2024-06-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 金相植 ,  朴兑浩 ,  孙载玟 ,  申渊祐 ,  田周熙 ,  赵庚娥

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/544

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体器件包括：在横向方向上延伸的字线；与字线分开的感测线，感测线在垂直方向上与字线重叠并且在横向方向上延伸；垂直半导体结构，在垂直方向上穿过字线和感测线，垂直半导体结构具有在横向方向上面向字线的垂直沟道区；以及在垂直沟道区和字线之间的栅极电介质膜。垂直半导体结构包括在垂直方向上顺序提供的第一导电类型的第一重掺杂膜、第二导电类型的第一轻掺杂膜、第一导电类型的第二轻掺杂膜和第二导电类型的第二重掺杂膜。