公开(公告)号：CN101752246A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253465.7

申请日：2009-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具泰亨 ,  崔三宗 ,  金泰成 ,  曹圭彻 ,  崔埈荣 ,  金熹声 ,  金娟淑

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L25/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备。处理半导体晶片的方法包括：将晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均约每秒100℃或更高的第一变温速率将晶片从预热温度加热到峰值温度；以及在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将晶片从峰值温度冷却到预热温度，其中峰值温度为约1100℃或更高。