公开(公告)号：CN102543972A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110401260.6

申请日：2011-12-06

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 朴薰 ,  朴宰莹 ,  朴柱玉 ,  尹汉镐 ,  李恩暻

IPC: H01L25/03

CPC classification number: H01G9/2072 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0508 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及薄膜型太阳能电池，尤其涉及通过收纳依次层压的多个太阳能单电池而使电力生产率最大化的太阳能电池模块。为此，本发明包括透明的多个太阳能单电池；与所述太阳能单电池的阴极部电连接的阴极连接件；及与所述太阳能单电池的阳极部电连接的阳极连接件。

公开(公告)号：CN101457344B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810180006.6

申请日：2008-11-19

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 具本庆 ,  尹汉镐 ,  朴柱玉 ,  朴炯律 ,  金眩秀 ,  崔成龙 ,  崔仲烈 ,  宋礼根 ,  朴峻弘

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明公开了氧化铟锡(ITO)靶，其制造方法，ITO透明导电膜及其制造方法。所述ITO靶包括选自由Sm2O3和Yb2O3构成的组中的至少一种氧化物，其中所述氧化物的含量相对所述靶重量为约0.5wt％～约10wt％。

公开(公告)号：CN103510056A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310258587.1

申请日：2013-06-26

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  金东朝 ,  金度贤 ,  全祐奭 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  尹相元 ,  李建孝 ,  李镕晋 ,  李伦圭

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种氧化锌（ZnO）基溅射靶、一种制造该氧化锌基溅射靶的方法和一种具有使用该氧化锌基溅射靶沉积的阻挡层的薄膜晶体管（TFT）。所述氧化锌基溅射靶包括：烧结物，包括掺杂有氧化镓的氧化锌，氧化镓的含量范围为烧结物的10重量%到50重量%；背板，结合到烧结物的后表面，以支撑烧结物。氧化锌基溅射靶可以经受直流（DC）溅射，并且可以改善使用其沉积的阻挡层的接触特性和蚀刻特性。

公开(公告)号：CN103451607A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310213423.7

申请日：2013-05-31

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 河真珠 ,  李承柱 ,  吴珠惠 ,  赵耀翰 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  李炯录 ,  韩镇宇

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 用于沉积具有高的电子迁移率和高的操作可靠性的薄膜的氧化物半导体溅射靶、使用该氧化物半导体溅射靶制造薄膜晶体管（TFT）的方法和使用该氧化物半导体溅射靶制造的TFT。该氧化物半导体溅射靶在TFT上沉积有源层的溅射工艺中使用。该氧化物半导体溅射靶由基于含有铟（In）、锡（Sn）、镓（Ga）和氧（O）的组合物的材料制成。该方法包括用上述氧化物半导体溅射靶沉积有源层的步骤。该薄膜晶体管可用在诸如液晶显示器（LCD）或有机发光显示器（OLED）的显示装置中。

公开(公告)号：CN103531638A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310272148.6

申请日：2013-07-01

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  李伦圭 ,  金度贤 ,  金东朝 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  尹相元 ,  李建孝 ,  李镕晋 ,  全祐奭

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管以及一种用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶。薄膜晶体管包括金属电极和阻挡物质从金属电极扩散出来的氧化锌基阻挡膜。氧化锌基阻挡膜由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基阻挡膜的1%到50%。用于沉积薄膜晶体管的阻挡膜的氧化锌基溅射靶由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基溅射靶的1%到50%。