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公开(公告)号:CN103451607A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201310213423.7
申请日:2013-05-31
Applicant: 三星康宁精密素材株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 用于沉积具有高的电子迁移率和高的操作可靠性的薄膜的氧化物半导体溅射靶、使用该氧化物半导体溅射靶制造薄膜晶体管(TFT)的方法和使用该氧化物半导体溅射靶制造的TFT。该氧化物半导体溅射靶在TFT上沉积有源层的溅射工艺中使用。该氧化物半导体溅射靶由基于含有铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)和氧(O)的组合物的材料制成。该方法包括用上述氧化物半导体溅射靶沉积有源层的步骤。该薄膜晶体管可用在诸如液晶显示器(LCD)或有机发光显示器(OLED)的显示装置中。
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公开(公告)号:CN103390726A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310168369.9
申请日:2013-05-09
Applicant: 三星康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/0096 , H01L51/5275 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/24669 , Y10T428/24942
Abstract: 可提高例如有机发光装置(OLED)的显示器的光学特性的用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法。所述多孔玻璃基板包括玻璃基板和在所述玻璃基板的一个表面的至少一部分内形成并延伸到所述玻璃基板内的多孔层,所述多孔层的折射率小于所述玻璃基板的折射率。所述多孔层具有多个形成在所述玻璃基板内的孔,以从所述玻璃基板洗脱所述玻璃基板中除了二氧化硅(SiO2)以外的至少一种组分。
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公开(公告)号:CN103594486A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201310355881.4
申请日:2013-08-15
Applicant: 三星康宁精密素材株式会社
CPC classification number: C23C14/0688 , C23C14/3414 , H01L27/3272 , H01L51/5284
Abstract: 提供了一种溅射靶及一种包括通过溅射靶沉积的黑矩阵的有机发光显示装置。所述溅射靶被用于在有机发光显示装置中沉积黑矩阵的溅射工艺中。所述溅射靶具有混合了金属和金属氧化物的金属陶瓷结构。
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公开(公告)号:CN103590009A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201310357338.8
申请日:2013-08-16
Applicant: 三星康宁精密素材株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08 , H01L27/3272 , H01L51/5284
Abstract: 提供了一种可以形成具有高电阻率和低反射率特性的黑矩阵的溅射靶及一种包括通过其沉积的黑矩阵的有机发光显示装置。在用于沉积黑矩阵的溅射工艺中使用的溅射靶包含从由Mo-Si-O、W-Si-O和Mo-W-Si-O组成的组中选择的一种,Mo或W的含量为Si的含量的至少0.5倍。
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