公开(公告)号：CN101457344B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810180006.6

申请日：2008-11-19

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 具本庆 ,  尹汉镐 ,  朴柱玉 ,  朴炯律 ,  金眩秀 ,  崔成龙 ,  崔仲烈 ,  宋礼根 ,  朴峻弘

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明公开了氧化铟锡(ITO)靶，其制造方法，ITO透明导电膜及其制造方法。所述ITO靶包括选自由Sm2O3和Yb2O3构成的组中的至少一种氧化物，其中所述氧化物的含量相对所述靶重量为约0.5wt％～约10wt％。