公开(公告)号：CN103510056A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310258587.1

申请日：2013-06-26

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  金东朝 ,  金度贤 ,  全祐奭 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  尹相元 ,  李建孝 ,  李镕晋 ,  李伦圭

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种氧化锌（ZnO）基溅射靶、一种制造该氧化锌基溅射靶的方法和一种具有使用该氧化锌基溅射靶沉积的阻挡层的薄膜晶体管（TFT）。所述氧化锌基溅射靶包括：烧结物，包括掺杂有氧化镓的氧化锌，氧化镓的含量范围为烧结物的10重量%到50重量%；背板，结合到烧结物的后表面，以支撑烧结物。氧化锌基溅射靶可以经受直流（DC）溅射，并且可以改善使用其沉积的阻挡层的接触特性和蚀刻特性。

公开(公告)号：CN103531638A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310272148.6

申请日：2013-07-01

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  李伦圭 ,  金度贤 ,  金东朝 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  尹相元 ,  李建孝 ,  李镕晋 ,  全祐奭

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管以及一种用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶。薄膜晶体管包括金属电极和阻挡物质从金属电极扩散出来的氧化锌基阻挡膜。氧化锌基阻挡膜由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基阻挡膜的1%到50%。用于沉积薄膜晶体管的阻挡膜的氧化锌基溅射靶由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基溅射靶的1%到50%。

公开(公告)号：CN108546922A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810708062.6

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  金东朝 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  尹相元 ,  李建孝 ,  李镕晋 ,  李伦圭 ,  金度贤 ,  全祐奭

IPC: C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：铜层，包括栅电极、源电极、漏电极和/或布线；阻挡层，通过使用氧化锌基溅射靶的溅射沉积在铜层上，所述氧化锌基溅射靶具有烧结体，所述烧结体包括掺杂有基于氧化锌重量的1％w/w至50％w/w范围内的氧化铟的氧化锌；以及氧化物层，沉积在阻挡层的顶部上，其中，氧化物层是氧化硅层。

公开(公告)号：CN104005000A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410069734.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  金东朝 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  尹相元 ,  李建孝 ,  李镕晋 ,  李伦圭 ,  金度贤 ,  全祐奭

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/3414

Abstract: 提供了一种氧化锌基溅射靶、一种制备氧化锌基溅射靶的方法以及一种包括通过氧化锌基溅射靶沉积的阻挡层的薄膜晶体管。所述氧化锌基溅射靶包括烧结体，所述烧结体由掺杂大约1%w/w至大约50%w/w范围内的氧化铟的氧化锌组成。背衬板结合到烧结体的背面。背衬板支撑烧结体。