公开(公告)号：CN102473614A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033825.3

申请日：2010-05-17

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 仙田刚士 ,  矶贝宏道 ,  丰田英二 ,  村山久美子 ,  荒木浩司 ,  青木龙彦 ,  须藤治生 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日儿

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的第1温度T1为止，在保持第1温度T1之后，以第1降温速度急速降温至400℃以上800℃以下的第2温度T2为止，接着，从惰性气体气氛转换为含有20vol.％以上100vol.％以下的氧气的含氧气氛之后，以第2升温速度从第2温度T2急速升温至1250℃以上硅的融点以下的第3温度T3为止，于第3温度T3保持之后，以第2降温速度从第3温度T3急速降温。

公开(公告)号：CN100348783C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200510059736.7

申请日：2005-03-29

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 鹿岛一日儿

IPC: C30B15/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B29/06

Abstract: 使用由砷与硅的混合烧结体构成的、硅对砷的摩尔比为35%～55%的砷掺杂剂，用直拉法直拉单晶硅。

公开(公告)号：CN102460658A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080025868.7

申请日：2010-05-28

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 仙田刚士 ,  矶贝宏道 ,  丰田英二 ,  荒木浩司 ,  青木龙彦 ,  须藤治生 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日儿 ,  齐藤广幸

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/3225 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。

公开(公告)号：CN100407381C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200610008940.0

申请日：2006-01-28

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 森谷正孝 ,  鹿岛一日儿 ,  宫野真一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。