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公开(公告)号:CN101638807B
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN200910157497.7
申请日:2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法,其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片,在氧气分压为20%以上且100%以下的氧化性气体气氛中,以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T1),进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×1018原子/cm3以上的高氧浓度区域,且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
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公开(公告)号:CN101638807A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200910157497.7
申请日:2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法,其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片,在氧气分压为20%以上且100%以下的氧化性气体气氛中,以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T 1 ),进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×10 18 原子/cm 3 以上的高氧浓度区域,且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
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