公开(公告)号：CN102460658A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080025868.7

申请日：2010-05-28

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 仙田刚士 ,  矶贝宏道 ,  丰田英二 ,  荒木浩司 ,  青木龙彦 ,  须藤治生 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日儿 ,  齐藤广幸

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/3225 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。