-
公开(公告)号:CN101638806A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200910157496.2
申请日:2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B33/02 , H01L21/3225
Abstract: 在硅晶片的制造方法中,在硅晶片上执行第一热处理工序,同时引入具有0.01vol.%或以上且1.00vol.%或以下量的氧气和稀有气体的第一气体,以及执行第二热处理工序,同时停止引入第一气体,并且替换地引入具有20vol.%或以上且100vol.%或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中,以第一加热速率,将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度,并保持在第一温度。在第二热处理工序中,该硅晶片保持第一温度,并以第一冷却速率,迅速地从第一温度冷却。
-
公开(公告)号:CN101638807B
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN200910157497.7
申请日:2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法,其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片,在氧气分压为20%以上且100%以下的氧化性气体气氛中,以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T1),进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×1018原子/cm3以上的高氧浓度区域,且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
-
公开(公告)号:CN101638806B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200910157496.2
申请日:2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B33/02 , H01L21/3225
Abstract: 在硅晶片的制造方法中,在硅晶片上执行第一热处理工序,同时引入具有0.01vol.%或以上且1.00vol.%或以下量的氧气和稀有气体的第一气体,以及执行第二热处理工序,同时停止引入第一气体,并且替换地引入具有20vol.%或以上且100vol.%或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中,以第一加热速率,将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度,并保持在第一温度。在第二热处理工序中,该硅晶片保持第一温度,并以第一冷却速率,迅速地从第一温度冷却。
-
公开(公告)号:CN101792927A
公开(公告)日:2010-08-04
申请号:CN201010106318.X
申请日:2010-01-28
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L21/67109
Abstract: 在热处理通过分割由直拉生长法制造的硅单晶锭而获得的晶片的方法中,在具有1.0%或以上且20%或以下的氧分压和氩气的含氧混合气体气氛中,通过在1200℃或以上且硅熔点或以下的极限温度下,设置保持时间为等于或长于一秒且等于或短于60秒,来进行快速加热/冷却热处理,并且由此在硅晶片表面上形成具有9.1nm或以下、或者24.3nm或以上厚度的氧化物膜。
-
公开(公告)号:CN101638807A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200910157497.7
申请日:2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法,其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片,在氧气分压为20%以上且100%以下的氧化性气体气氛中,以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T 1 ),进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×10 18 原子/cm 3 以上的高氧浓度区域,且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
-
-
-
-