公开(公告)号：CN109449143A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811528015.X

申请日：2018-12-14

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 蒋立柱 ,  苏海伟 ,  魏峰 ,  吴国臣 ,  王帅 ,  张锐

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107

Abstract: 本发明公开了一种用于基站的新型封装大浪涌TVS器件，其特征在于，包括塑封外壳和置于所述塑封外壳内的组合芯片，所述组合芯片两面分别连接上框架和下框架，上框架和下框架分别连接引脚，所述引脚引出所述塑封外壳，所述塑封外壳内填充有填充胶。本发明通过开发新型封装外壳可以缩小外形尺寸，提高工艺稳定性和生产良率，美化外观等；通过开发新型填充胶可以将主体组合芯片固定在外壳中，并提高产品可靠性；通过开发新型引脚可以增加散热和导电性提高通流能力。所获得的TVS器件具有大通流、小型化、工艺稳定、高可靠性、良率高、生产效率高、美观、成本低等优点。

公开(公告)号：CN109390385A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810822137.3

申请日：2018-07-25

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 王允 ,  苏海伟 ,  赵德益 ,  赵志方 ,  张啸 ,  吕海凤 ,  霍田佳 ,  杜牧涵 ,  苏亚兵 ,  蒋骞苑

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/0688 ,  H01L29/66098 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本发明通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。

公开(公告)号：CN107068628A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710118709.5

申请日：2017-03-02

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 吴昊 ,  余晓明

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838

Abstract: 本发明公开了一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构及工艺，与常规的WLCSP工艺一样，首先在晶圆正面完成金属凸点制备；按照最终TVS产品的结构对晶圆进行切割制备空隙，切割时控制空隙的深度，不能将晶圆切透；从晶圆正面向下完成第一次塑封，覆盖切割所得到的空隙；从晶圆正面进行晶圆减薄，保证电极露出来；如果需要电极高于塑封表面，在金属凸点出进行一次植球或者镀层工艺；从晶圆背面进行晶圆减薄，减薄至最终TVS产品的尺寸要求；对晶圆背面进行塑封，完成对晶圆背面的保护；沿着空隙的中心进行切割，割透，完成芯片的分离。本发明工艺流程简单，工艺控制要求不高，可将成品的厚度控制得特别薄。

公开(公告)号：CN101702509B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200910199069.0

申请日：2009-11-19

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 苏海伟 ,  张关保 ,  张婷 ,  吴兴农 ,  李星

IPC: H02H3/22 ,  H02H3/06

Abstract: 本发明涉及一种新型的阻断型浪涌保护器件，所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述的浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极串联，其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与模块输入端相连。本发明可形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，实现如保险丝阻断浪涌一样的作用，且可无限次重复阻断复位，阻断型浪涌保护器件与负载串联，使能够特定地保护单个负载，并且能够应用于高带宽的系统，同时实现过电压和过电流保护。

公开(公告)号：CN102176616A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110058846.7

申请日：2011-03-11

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 苏海伟 ,  张关保 ,  王永录 ,  叶力 ,  吴兴农

IPC: H02H3/20

Abstract: 本发明涉及可编程阻断型浪涌保护器件，包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管、第一、第二及外部电阻构成串联结构的导通路径，其中，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，源极与外部电阻的第一接入端相连，栅极与第二晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，源极与第三耗尽型场效应晶体管的漏极相连，栅极与第一晶体管的源极相连；第三晶体管的源极与外部电阻的第二接入端相连，栅极与第一、第二电阻分别相连；第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，实现器件触发电流的可编程应用，提升保护器件应用的灵活性。

公开(公告)号：CN101527304B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810204176.3

申请日：2008-12-08

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 张关保 ,  苏海伟 ,  李星 ,  吴兴农

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明一种集成低压低电容TVS器件及其制造方法，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，二极管通过N+隔离墙和P型埋层与TVS管悬浮隔离，TVS管自上而下依次由N+发射区、P+基区、P-基区、N+埋层和N型衬底构成；二极管自上而下依次由P+基区、P-外延层、N+埋层构成；在N型衬底上设置P型埋层作为N+隔离墙与衬底的隔离层，N+隔离墙与二极管N+埋层相连构成二极管N+隔离区，该N+隔离区通过一跨接金属层与TVS管N+发射区电连接，二极管的P+基区上设金属层。优点是：采用新颖的悬浮隔离，实现低电容二极管和TVS的隔离电隔离，从而实现两种器件的硅工艺集成，集成低压低电容TVS器件产品的保护电压为2.8～5V，电容＜5pF，应用相当广泛。

公开(公告)号：CN101730371A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910198634.1

申请日：2009-11-11

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 刘伟 ,  李江 ,  吴兴农

IPC: H05F3/02 ,  B32B37/10

Abstract: 本发明涉及一种高分子基体双面表面贴装型静电防护器件及其制备方法，包括基板、内电极、芯材，端部设有的端电极，其中，所述的基板包括上下两块，在上、下基板之间夹有一块半固化片，半固化片上设有通孔，上基板、半固化片、下基板依次叠置，上、下基板上内电极的前端相对设置，并且半固化片上的通孔对应于两内电极前端的相汇处，通孔中填充有芯材浆料，该芯材浆料分别与上、下基板的内电极接触，构成静电防护器件。优点是：采用层压复合技术，器件电器性能更好，实现更低嵌位电压功能；复合方式将芯材浆料密封于基体内部可提高器件的耐候性；完全封闭的器件结构能够耐受更高能量的冲击；双面设计使产品在安装过程中无须正反面识别。

公开(公告)号：CN109509749A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811283080.0

申请日：2018-10-31

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 王允 ,  赵德益 ,  苏海伟 ,  叶毓明 ,  杜牧涵 ,  苏亚兵 ,  冯星星 ,  吴青青 ,  张利明 ,  蒋骞苑 ,  赵志方

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0262

Abstract: 本发明公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件及其制备方法，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本发明的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。

公开(公告)号：CN109037311A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810914424.7

申请日：2018-08-13

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司 ,  中兴通讯股份有限公司

Inventor： 王允 ,  蒋骞苑 ,  赵德益 ,  苏海伟 ,  叶毓明 ,  赵志方 ,  冯星星 ,  吴青青 ,  张利明 ,  周显华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本发明增加了背面浅槽，通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，更换上芯工艺为刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险；本发明浅槽工艺更利于背面填平，能够降低刷胶难度和对设备的损耗，提高上芯效率；本发明通过开发新型胶水，避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性；本发明浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。

公开(公告)号：CN108039348A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201810045594.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 赵德益 ,  苏海伟 ,  吕海凤 ,  赵志方 ,  张啸 ,  王允 ,  霍田佳

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L27/0255

Abstract: 本发明公开了一种可实现高耐压的ESD保护器件，其特征在于：包括衬底、第一外延层、埋层注入、第二外延层、第二外延层的掺杂区，以及穿过第一外延层和第二外延层到达衬底的深槽，器件正面开孔溅射金属形成正面电极，器件背面衬底减薄后蒸发金属形成背面电极。本发明公开的器件结构简单可实行，能制作小型化便携式产品，克服了现有高压台面工艺器件尺寸偏大及普通纵向NPN/PNP结构存在穿通Punch Through难以实现高耐压的缺点，从而被广泛应用到消费电子、工业控制和汽车电子等系统中的高压ESD防护。