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公开(公告)号：CN109037311A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810914424.7
申请日：2018-08-13
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0684 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本发明增加了背面浅槽，通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，更换上芯工艺为刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险；本发明浅槽工艺更利于背面填平，能够降低刷胶难度和对设备的损耗，提高上芯效率；本发明通过开发新型胶水，避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性；本发明浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。
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公开(公告)号：CN208722884U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821296131.9
申请日：2018-08-13
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本实用新型增加了背面浅槽，通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，更换上芯工艺为刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险；本实用新型浅槽工艺更利于背面填平，能够降低刷胶难度和对设备的损耗，提高上芯效率；本实用新型通过开发新型胶水，避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性；本实用新型浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110600468A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910965917.8
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法，由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该管子和PNPN管子并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发。这样能获得较低的动态电阻的导通特性和较大的通流能力，TVS是利用NPN和PNP闩锁特性形成的，这样能获得大回扫特性来降低TVS的残压。
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公开(公告)号：CN110571279A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910966898.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/87 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本发明通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压。
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公开(公告)号：CN108428698A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201710423012.9
申请日：2017-06-07
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开涉及一种梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器(TVS)结构，该集成型的半导体保护器件包括由衬底材料、外延层、N型掺杂和P型掺杂构成的半导体主体，其不同掺杂浓度构成的瞬态抑制二极管TVS和开关管均为纵向结构，其中TVS面积决定器件的通流能力，开关管决定器件的电容能力。器件有效区域与侧面结的隔离使用沟槽隔离，所涉及的深槽设计为梯形，可以灵活调控TVS和开关管的面积配比，梯形的角度决定了两种不同器件面积差的大小，从而获得大通流能力和低电容的保护器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428697A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711097623.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L25/18 , H01L25/50
Abstract: 本发明公开了一种低电容双向带负阻TVS器件及其制备方法，包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。传统TVS器件抗浪涌能力和芯片版面是正比例关系，无法在得到大浪涌能力的同时得到小的器件电容。本发明通过叠片封装的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和低电容的特性，并且器件具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN105489612A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510886621.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/861 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1207 , H01L21/84 , H01L29/8613
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列及其制备方法，基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列包括：n型的SOI基底、p+区、n+区、p区、氮化硅隔离、电极，所述的n型SOI基底由Si衬底、SiO2层和n型Si三层结构构成，在P型和/或N型Si衬底上通过扩散或离子注入形成高掺杂PN结，形成PN结区域和中央的TVS区域。本发明所述基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列和现有技术中的TVS器件相比有效的降低了器件的寄生电容和漏电流，降低了器件的功耗，进一步提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN102130448B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110062647.3
申请日：2011-03-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及单向低电容浪涌保护器件，包括第一PIN管和第二PIN管，第一TVS管和第二TVS管和GTO管，中，其第一PIN管的阳极作为第一引出端S1；第一PIN管的阴极与第二PIN管的阳极相连，且与GTO管的阳极相连；第二PIN管的阴极与第一TVS管和第二TVS管的阴极相连；第二TVS管的阳极与GTO管的门极相连；GTO管的阴极与第一TVS管的阳极相连，作为第二引出端S2。优点是：利用PIN管的低电容特性和GTO的大电流泄放能力实现了单向低电容浪涌保护器，采用两级保护，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求，依据接入的TVS管实现了转折电压控制和残压下限控制，通过调节TVS管的击穿电压可以有效控制器件的转折电压和转折后的残压。
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公开(公告)号：CN102176624B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110058804.3
申请日：2011-03-11
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及一种低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连。优点是：利用PIN管的低电容特性和低钳位管的低通态压降特性构成了低电容、低钳位瞬态电压抑制器件，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求；实现用于差共模保护的三端低电容、低钳位瞬态电压抑制器，差分应用电容更低；实现具有低钳位、高浪涌能力的双向双端瞬态电压抑制器。
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公开(公告)号：CN102170120A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110062794.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明双向低电容浪涌保护器件，第一PIN管阳极与第二PIN阴极相连作为引出端S1；第一PIN管阴极分别与第一TVS管和第一GTO管的阳极、第二GTO管阴极及第二PIN管阳极相连；第一TVS管阴极与第二TVS管和第三TVS管阴极相连；第三TVS管阳极与第一GTO管和第二GTO管门极分别相连；第二TVS管阳极分别与第一GTO管阴极和第四PIN管的阴极、第二GTO管阳极和第三PIN管的阳极相连；第三PIN管的阴极与第四PIN管的阳极相连，作为器件的第二引出端。优点是：利用PIN管的低电容特性和GTO的大电流泄放能力实现双向低电容浪涌保护器，依据接入的TVS管实现了转折电压控制和残压下限控制，通过调节TVS管的击穿电压可以有效控制器件的转折电压和转折后的残压。
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