公开(公告)号：CN107068628A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710118709.5

申请日：2017-03-02

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 吴昊 ,  余晓明

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838

Abstract: 本发明公开了一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构及工艺，与常规的WLCSP工艺一样，首先在晶圆正面完成金属凸点制备；按照最终TVS产品的结构对晶圆进行切割制备空隙，切割时控制空隙的深度，不能将晶圆切透；从晶圆正面向下完成第一次塑封，覆盖切割所得到的空隙；从晶圆正面进行晶圆减薄，保证电极露出来；如果需要电极高于塑封表面，在金属凸点出进行一次植球或者镀层工艺；从晶圆背面进行晶圆减薄，减薄至最终TVS产品的尺寸要求；对晶圆背面进行塑封，完成对晶圆背面的保护；沿着空隙的中心进行切割，割透，完成芯片的分离。本发明工艺流程简单，工艺控制要求不高，可将成品的厚度控制得特别薄。

公开(公告)号：CN206497884U

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201720193669.6

申请日：2017-03-02

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 吴昊 ,  余晓明

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型公开了一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构，其包括晶圆层，所述晶圆层的一侧面上制备有金属凸点，取相邻金属凸点作为一对，所述晶圆上每一对金属凸点的四周切割有空隙，所述空隙为具有长方形截面的沟槽，空隙的深度不大于所述晶圆层的高度。将上述结构从晶圆正面向下完成第一次塑封，覆盖切割所得到的空隙；从晶圆正面进行晶圆减薄，保证电极露出来；从晶圆背面进行晶圆减薄，减薄至最终TVS产品的尺寸要求；对晶圆背面进行塑封，完成对晶圆背面的保护；沿着空隙的中心进行切割，割透，完成芯片的分离。本实用新型结构简单，制备工艺控制要求不高，可将成品的厚度控制得特别薄。