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公开(公告)号：CN109390385A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810822137.3
申请日：2018-07-25
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/0688 , H01L29/66098 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本发明通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。
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公开(公告)号：CN109037316A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810887487.8
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本发明改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。
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公开(公告)号：CN108922920A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810886804.4
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/285 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L21/2855 , H01L29/0684 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本发明通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN109509749A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811283080.0
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件及其制备方法，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本发明的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。
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公开(公告)号：CN106684040A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710023829.7
申请日：2017-01-13
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L21/8222 , H01L27/07
CPC classification number: H01L27/0761 , H01L21/8222
Abstract: 本发明公开了一种低容低残压瞬态电压抑制二极管器件及其制造方法，低容低残压瞬态电压抑制二极管器件包括自下往上依次设置的欧姆正电极接触区、N+衬底区、N‑外延层、P基区、P+触发区、N+发射区、欧姆负电极接触区，所述P+型的触发区位于P‑基区上部，所述N+注入区位于P+触发区内部及两侧。本发明将传统TVS电压抑制二极管器件结构改进为一个横向雪崩TVS二极管与一个纵向双极晶体管结合的新型结构，在相同的工作条件下，明显的减小了TVS器件的浪涌残压和寄生电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208781854U
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201821258814.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/285 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本实用新型通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206401295U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201720037772.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L21/8222 , H01L27/07
Abstract: 本实用新型公开了一种低容低残压瞬态电压抑制二极管器件，低容低残压瞬态电压抑制二极管器件包括自下往上依次设置的欧姆正电极接触区、N+衬底区、N‑外延层、P基区、P+触发区、N+发射区、欧姆负电极接触区，所述P+型的触发区位于P‑基区上部，所述N+注入区位于P+触发区内部及两侧。本实用新型将传统TVS电压抑制二极管器件结构改进为一个横向雪崩TVS二极管与一个纵向双极晶体管结合的新型结构，在相同的工作条件下，明显的减小了TVS器件的浪涌残压和寄生电容。
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公开(公告)号：CN209119101U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821777206.5
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本实用新型的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208781853U
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201821183328.1
申请日：2018-07-25
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本实用新型通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208400853U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201821258829.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本实用新型改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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