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公开(公告)号：CN101702509B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910199069.0
申请日：2009-11-19
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型的阻断型浪涌保护器件，所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述的浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极串联，其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与模块输入端相连。本发明可形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，实现如保险丝阻断浪涌一样的作用，且可无限次重复阻断复位，阻断型浪涌保护器件与负载串联，使能够特定地保护单个负载，并且能够应用于高带宽的系统，同时实现过电压和过电流保护。
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公开(公告)号：CN101527304B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810204176.3
申请日：2008-12-08
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L21/76
Abstract: 本发明一种集成低压低电容TVS器件及其制造方法，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，二极管通过N+隔离墙和P型埋层与TVS管悬浮隔离，TVS管自上而下依次由N+发射区、P+基区、P-基区、N+埋层和N型衬底构成；二极管自上而下依次由P+基区、P-外延层、N+埋层构成；在N型衬底上设置P型埋层作为N+隔离墙与衬底的隔离层，N+隔离墙与二极管N+埋层相连构成二极管N+隔离区，该N+隔离区通过一跨接金属层与TVS管N+发射区电连接，二极管的P+基区上设金属层。优点是：采用新颖的悬浮隔离，实现低电容二极管和TVS的隔离电隔离，从而实现两种器件的硅工艺集成，集成低压低电容TVS器件产品的保护电压为2.8～5V，电容＜5pF，应用相当广泛。
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公开(公告)号：CN101702508B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910199068.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型的双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，第一、第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相串联，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明形成类似可重置保险丝的可变电阻电路，可无限次重复阻断复位，双向阻断型浪涌保护器件还可实现正反向浪涌的阻断，提升阻断型浪涌保护器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527324B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810204177.8
申请日：2008-12-08
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种双向低压穿通瞬态电压抑制二极管，所述的二极管自下而上由五个区域构成硅片，硅片正面和背面均形成有金属电极，五个区域包括：第一区域为n型掺杂的n+衬底；第二区域为p型掺杂的p+埋层；第三区域为p型掺杂的p-外延层；第四区域为p型掺杂的p+扩散区；第五区域为n型掺杂的n+扩散区；其中，所述的第二区域横向覆盖半个第一区域；第三区域的一半在第一区域上，另一半在第二区域上；第四区域横向覆盖半个第三区域，且与第二区域的位置相对；第五区域的一半在第三区域上，另一半在第四区域上。所述二极管具有以下优点：低穿通击穿电压、低泄露电流、低电容、大电流钳位特性优越、抗表面击穿及正反向电特性一致。
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公开(公告)号：CN101702509A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910199069.0
申请日：2009-11-19
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型的阻断型浪涌保护器件，所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述的浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极串联，其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与模块输入端相连。本发明可形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，实现如保险丝阻断浪涌一样的作用，且可无限次重复阻断复位，阻断型浪涌保护器件与负载串联，使能够特定地保护单个负载，并且能够应用于高带宽的系统，同时实现过电压和过电流保护。
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公开(公告)号：CN101527324A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810204177.8
申请日：2008-12-08
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种双向低压穿通瞬态电压抑制二极管，所述的二极管自下而上由五个区域构成硅片，硅片正面和背面均形成有金属电极，五个区域包括：第一区域为n型掺杂的n+衬底；第二区域为p型掺杂的p+埋层；第三区域为p型掺杂的p－外延层；第四区域为p型掺杂的p+扩散区；第五区域为n型掺杂的n+扩散区；其中，所述的第二区域横向覆盖半个第一区域；第三区域的一半在第一区域上，另一半在第二区域上；第四区域横向覆盖半个第三区域，且与第二区域的位置相对；第五区域的一半在第三区域上，另一半在第四区域上。所述二极管具有以下优点：低穿通击穿电压、低泄露电流、低电容、大电流钳位特性优越、抗表面击穿及正反向电特性一致。
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公开(公告)号：CN101527304A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810204176.3
申请日：2008-12-08
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L21/76
Abstract: 本发明一种集成低压低电容TVS器件及其制造方法，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，二极管通过N+隔离墙和P型埋层与TVS管悬浮隔离，TVS管自上而下依次由N+发射区、P+基区、P－基区、N+埋层和N型衬底构成；二极管自上而下依次由P+基区、P－外延层、N+埋层构成；在N型衬底上设置P型埋层作为N+隔离墙与衬底的隔离层，N+隔离墙与二极管N+埋层相连构成二极管N+隔离区，该N+隔离区通过一跨接金属层与TVS管N+发射区电连接，二极管的P+基区上设金属层。优点是：采用新颖的悬浮隔离，实现低电容二极管和TVS的隔离电隔离，从而实现两种器件的硅工艺集成，集成低压低电容TVS器件产品的保护电压为2.8～5V，电容＜5pF，应用相当广泛。
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公开(公告)号：CN101702508A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910199068.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型的双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，第一、第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相串联，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明形成类似可重置保险丝的可变电阻电路，可无限次重复阻断复位，双向阻断型浪涌保护器件还可实现正反向浪涌的阻断，提升阻断型浪涌保护器件的性能。
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