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公开(公告)号：CN109509749A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811283080.0
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件及其制备方法，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本发明的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。
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公开(公告)号：CN109037311A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810914424.7
申请日：2018-08-13
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0684 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本发明增加了背面浅槽，通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，更换上芯工艺为刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险；本发明浅槽工艺更利于背面填平，能够降低刷胶难度和对设备的损耗，提高上芯效率；本发明通过开发新型胶水，避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性；本发明浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。
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公开(公告)号：CN108922885A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810885772.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/0255 , H01L27/0296 , H01L29/8611
Abstract: 本发明公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本发明通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。
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公开(公告)号：CN110571279A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910966898.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/87 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本发明通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037316A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810887487.8
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本发明改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。
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公开(公告)号：CN208722884U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821296131.9
申请日：2018-08-13
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本实用新型增加了背面浅槽，通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，更换上芯工艺为刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险；本实用新型浅槽工艺更利于背面填平，能够降低刷胶难度和对设备的损耗，提高上芯效率；本实用新型通过开发新型胶水，避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性；本实用新型浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209119101U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821777206.5
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本实用新型的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208722877U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821258225.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本实用新型通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208400853U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201821258829.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本实用新型改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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