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公开(公告)号：CN109509749A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811283080.0
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件及其制备方法，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本发明的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。
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公开(公告)号：CN109037311A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810914424.7
申请日：2018-08-13
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0684 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本发明增加了背面浅槽，通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，更换上芯工艺为刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险；本发明浅槽工艺更利于背面填平，能够降低刷胶难度和对设备的损耗，提高上芯效率；本发明通过开发新型胶水，避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性；本发明浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。
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公开(公告)号：CN108022912A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201810044594.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
CPC classification number: H01L23/60 , H01L29/742
Abstract: 本发明提供了一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，用于防护核心电路输入/输出端、正电源端和负电源端之间的静电放电，其包括：一种衬底；形成在该衬底上方的多个P型阱区域和N型阱区域以及形成在阱区上的重掺杂区，由这些阱区和掺杂区构成了双向三极管器件和双向SCR器件，两种器件以并联方式连接在被保护的端口之间。本发明所形成的双向SCR器件结构简单，工艺层次少，可集成在CMOS工艺、BICMOS工艺、BCD工艺中；可通过调整关键注入区的浓度获得较低的完全对称的双向触发电压；所形成的双向半导体器件从输入端到输出端存在两条泄放大电流的路径，在相同的面积下提高了器件的抗浪涌能力。
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公开(公告)号：CN110600468A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910965917.8
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法，由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该管子和PNPN管子并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发。这样能获得较低的动态电阻的导通特性和较大的通流能力，TVS是利用NPN和PNP闩锁特性形成的，这样能获得大回扫特性来降低TVS的残压。
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公开(公告)号：CN109037316A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810887487.8
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本发明改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428699A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711108418.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L21/8222 , H01L27/0255
Abstract: 本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。
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公开(公告)号：CN109390385A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810822137.3
申请日：2018-07-25
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/0688 , H01L29/66098 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本发明通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。
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公开(公告)号：CN110600467A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910965446.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本发明通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。
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公开(公告)号：CN110556416A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910966060.1
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法，包括包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离trench，本发提出的器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN109119381A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810887472.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L23/29
Abstract: 本发明公开了一种提高N衬底单向负阻型TVS芯片封装良率的胶水，其成分配比如下：银粉70-85wt％；改性环氧树脂7.5-15wt％；碳酸酯7.5-15wt％。本发明开发的新型胶水具有阻抗更小、散热更好、流通性更低的优点，同时采用刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险，避免了浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性，同时大大提升了封装极限能力，能够达到芯片版面与载体尺寸比例为1：1的水平，使得产品具有超低的正负向残压，能够超越目前市面上的所有同类产品。
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