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公开(公告)号：CN101771042B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200910248044.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及低电容电压可编程TVS器件及其制造方法，由闩锁通路和限压保护通路构成，在闩锁通路上，PNP三极管和NPN三极管构成闩锁结构，输入端接PNP三极管的发射极，PNP三极管的集电极接NPN三极管的基极，PNP三极管的基极接NPN三极管的集电极，NPN三极管的发射极接输出端，且PNP三极管的集电极与TVS管的阳极相连，PNP三极管的基极与TVS管的阴极连接，构成器件的门极；在限压通路上，由两个降容二极管和一TVS器件组成，TVS管阳极与第一导向二极管阳极连接，TVS管阴极与第二导向二极管阴极连接，第二导向二极管阳极接输入端，第一导向二极管阴极接输出端；通过改变门极电位，实现在TVS击穿电压以内的可编程保护和过压保护。
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公开(公告)号：CN101771042A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910248044.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及低电容电压可编程TVS器件及其制造方法，由闩锁通路和限压保护通路构成，在闩锁通路上，PNP三极管和NPN三极管构成闩锁结构，输入端接PNP三极管的发射极，PNP三极管的集电极接NPN三极管的基极，PNP三极管的基极接NPN三极管的集电极，NPN三极管的发射极接输出端，且PNP三极管的集电极与TVS管的阳极相连，PNP三极管的基极与TVS管的阴极连接，构成器件的门极；在限压通路上，由两个降容二极管和一TVS器件组成，TVS管阳极与第一导向二极管阳极连接，TVS管阴极与第二导向二极管阴极连接，第二导向二极管阳极接输入端，第一导向二极管阴极接输出端；通过改变门极电位，实现在TVS击穿电压以内的可编程保护和过压保护。
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公开(公告)号：CN102130448B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110062647.3
申请日：2011-03-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及单向低电容浪涌保护器件，包括第一PIN管和第二PIN管，第一TVS管和第二TVS管和GTO管，中，其第一PIN管的阳极作为第一引出端S1；第一PIN管的阴极与第二PIN管的阳极相连，且与GTO管的阳极相连；第二PIN管的阴极与第一TVS管和第二TVS管的阴极相连；第二TVS管的阳极与GTO管的门极相连；GTO管的阴极与第一TVS管的阳极相连，作为第二引出端S2。优点是：利用PIN管的低电容特性和GTO的大电流泄放能力实现了单向低电容浪涌保护器，采用两级保护，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求，依据接入的TVS管实现了转折电压控制和残压下限控制，通过调节TVS管的击穿电压可以有效控制器件的转折电压和转折后的残压。
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公开(公告)号：CN102176624B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110058804.3
申请日：2011-03-11
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及一种低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连。优点是：利用PIN管的低电容特性和低钳位管的低通态压降特性构成了低电容、低钳位瞬态电压抑制器件，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求；实现用于差共模保护的三端低电容、低钳位瞬态电压抑制器，差分应用电容更低；实现具有低钳位、高浪涌能力的双向双端瞬态电压抑制器。
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公开(公告)号：CN102170120A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110062794.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明双向低电容浪涌保护器件，第一PIN管阳极与第二PIN阴极相连作为引出端S1；第一PIN管阴极分别与第一TVS管和第一GTO管的阳极、第二GTO管阴极及第二PIN管阳极相连；第一TVS管阴极与第二TVS管和第三TVS管阴极相连；第三TVS管阳极与第一GTO管和第二GTO管门极分别相连；第二TVS管阳极分别与第一GTO管阴极和第四PIN管的阴极、第二GTO管阳极和第三PIN管的阳极相连；第三PIN管的阴极与第四PIN管的阳极相连，作为器件的第二引出端。优点是：利用PIN管的低电容特性和GTO的大电流泄放能力实现双向低电容浪涌保护器，依据接入的TVS管实现了转折电压控制和残压下限控制，通过调节TVS管的击穿电压可以有效控制器件的转折电压和转折后的残压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102176624A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110058804.3
申请日：2011-03-11
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及一种低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连。优点是：利用PIN管的低电容特性和低钳位管的低通态压降特性构成了低电容、低钳位瞬态电压抑制器件，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求；实现用于差共模保护的三端低电容、低钳位瞬态电压抑制器，差分应用电容更低；实现具有低钳位、高浪涌能力的双向双端瞬态电压抑制器。
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公开(公告)号：CN102074929A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110058684.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件，具有小触发电流应用下的低导通电阻特性，至少包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管Q1、Q2、Q3，第一、第二可变电阻元件、第一、第二电阻构成串联结构的导通路径，形成电路模块，其中，Q1的漏极与模块输入端相连，栅极与Q2的源极相连；Q2的漏极与模块输出端相连，栅极与Q1的源极相连；第一可变电阻元件连接Q1的源极和Q3的源极；第二可变电阻元件连接Q2的源极和Q3的漏极；Q3的栅极与第一电阻和第二电阻分别相连；第一电阻另一端与模块输入端相连，第二电阻另一端与模块输出端相连。本发明能够特定地保护单个负载，且可用在高带宽的系统中。
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公开(公告)号：CN102176616A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110058846.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H3/20
Abstract: 本发明涉及可编程阻断型浪涌保护器件，包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管、第一、第二及外部电阻构成串联结构的导通路径，其中，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，源极与外部电阻的第一接入端相连，栅极与第二晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，源极与第三耗尽型场效应晶体管的漏极相连，栅极与第一晶体管的源极相连；第三晶体管的源极与外部电阻的第二接入端相连，栅极与第一、第二电阻分别相连；第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，实现器件触发电流的可编程应用，提升保护器件应用的灵活性。
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公开(公告)号：CN102170120B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110062794.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明双向低电容浪涌保护器件，第一PIN管阳极与第二PIN阴极相连作为引出端S1；第一PIN管阴极分别与第一TVS管和第一GTO管的阳极、第二GTO管阴极及第二PIN管阳极相连；第一TVS管阴极与第二TVS管和第三TVS管阴极相连；第三TVS管阳极与第一GTO管和第二GTO管门极分别相连；第二TVS管阳极分别与第一GTO管阴极和第四PIN管的阴极、第二GTO管阳极和第三PIN管的阳极相连；第三PIN管的阴极与第四PIN管的阳极相连，作为器件的第二引出端。优点是：利用PIN管的低电容特性和GTO的大电流泄放能力实现双向低电容浪涌保护器，依据接入的TVS管实现了转折电压控制和残压下限控制，通过调节TVS管的击穿电压可以有效控制器件的转折电压和转折后的残压。
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公开(公告)号：CN102130448A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110062647.3
申请日：2011-03-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及单向低电容浪涌保护器件，包括第一PIN管和第二PIN管，第一TVS管和第二TVS管和GTO管，中，其第一PIN管的阳极作为第一引出端S1；第一PIN管的阴极与第二PIN管的阳极相连，且与GTO管的阳极相连；第二PIN管的阴极与第一TVS管和第二TVS管的阴极相连；第二TVS管的阳极与GTO管的门极相连；GTO管的阴极与第一TVS管的阳极相连，作为第二引出端S2。优点是：利用PIN管的低电容特性和GTO的大电流泄放能力实现了单向低电容浪涌保护器，采用两级保护，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求，依据接入的TVS管实现了转折电压控制和残压下限控制，通过调节TVS管的击穿电压可以有效控制器件的转折电压和转折后的残压。
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