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公开(公告)号：CN112992836B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201911275842.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
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公开(公告)号：CN113053750B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN112216666B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910626038.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN113113315A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010031012.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及功率模块的领域，公开一种防止智能功率模块溢胶的方法，包括：提供一正面和背面均形成有金属层的DBC基板；将引线框架与DBC基板正面的金属层连接，且在DBC基板背面的金属层一侧形成保护膜；将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块；由于在DBC基板的背面金属层形成有保护膜，使得在将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块时，对DBC基板的背面金属层进行保护，使得在注塑成型形成模块的过程中，不会有注塑成型中胶体物质与DBC基板的背面金属层接触，从而保证了DBC基板的背面金属层的正常工作，提高了功率模块的散热性能。
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公开(公告)号：CN113053750A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN112864220A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911102156.X
申请日：2019-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种元胞结构及其制造方法以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本发明提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112829200A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911158920.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及注塑成型技术领域，特别涉及一种注塑模具。包括：下模；所述下模包括多个侧壁，多个所述侧壁围成的空间内设有用于支撑基板的浮动板；上模，所述上模位于所述下模的上方，并与所述侧壁及所述浮动板之间形成有注塑空间；弹性组件，所述弹性组件用于为所述浮动板提供向所述上模方向的弹力。本申请中的塑模具，在弹性组件弹力的作用下，使浮动板能够与设置于该浮动板上方的基板紧密贴合时，即不影响基板的散热，不会对基板产生损坏。
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公开(公告)号：CN112768413A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002045.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种封装基板及半导体芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。其中封装基板包括：基板本体，所述基板本体包括靠近注塑口的第一端及靠近注塑排气口的第二端；所述第一端设置有允许塑封料缓冲的第一避让结构。本申请中第一避让结构的设置，使得从注塑口一经注入的塑封料胶体不会直接冲击在基板本体处被阻挡而改变流向，而是能够在第一避让结构处得到一个缓冲，随后更均匀的流向基板本体的两侧封装面，改善塑封料在基板本体上下流量不一致的问题，使得塑封料更均匀的流向两侧封装面；从而保证封装产品的外观。
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公开(公告)号：CN112564461A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910919129.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种功率开关电路系统，包括：智能功率模块，包括上桥臂驱动芯片、下桥臂驱动芯片、由位于多个桥臂上的多绝缘栅双极型晶体管IGBT组成的功率开关器件，每个桥臂上的IGBT包括与上桥臂驱动芯片连接的上桥臂IGBT，及与下桥臂驱动芯片连接的下桥臂IGBT；保护电路，外接于智能功率模块中上桥臂驱动芯片的输出端和下桥臂驱动芯片的输出端，包括用于将输出端的电压稳定在设定电压范围的稳压保护电路；和/或用于将输出端的位移电流旁路到地线的稳流保护电路。本发明可以在IPM模块中连接稳压保护电路和/或稳流保护电路，减小栅极振荡及寄生导通，增加器件使用率及可靠性。
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