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公开(公告)号：CN112770496A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002677.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板器件的安装结构及具有其的电子设备，电路板器件的安装结构包括电路板和元器件；所述电路板设有卡槽，所述卡槽设有缺口部；所述元器件包括相连接的本体和引脚，所述引脚设有与所述缺口部相适配的卡接部，所述卡接部穿过所述缺口部并转动至预设位置时与所述卡槽卡合。根据本发明提供的电路板器件的安装结构，将元器件与电路板的焊接形式改进为卡槽连接形式，通过卡接部的转动至一定角度将元器件与电路板结合，在反向转动卡接部可以解除两者的结合，不仅方便更换，而且不会对元器件和PCB板造成损坏，便于元器件的回收。
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公开(公告)号：CN111354695A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010166039.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/56
Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。
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公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN111354695B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010166039.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/56
Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。
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公开(公告)号：CN111081661B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114256066A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011005223.9
申请日：2020-09-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/324 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN114256066B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202011005223.9
申请日：2020-09-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/324 , H10D12/00 , H10D62/10
Abstract: 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN211090152U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201921781211.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种电路板器件的安装结构及具有其的电子设备，电路板器件的安装结构包括电路板和元器件；所述电路板设有卡槽，所述卡槽设有缺口部；所述元器件包括相连接的本体和引脚，所述引脚设有与所述缺口部相适配的卡接部，所述卡接部穿过所述缺口部并转动至预设位置时与所述卡槽卡合。根据本实用新型提供的电路板器件的安装结构，将元器件与电路板的焊接形式改进为卡槽连接形式，通过卡接部的转动至一定角度将元器件与电路板结合，在反向转动卡接部可以解除两者的结合，不仅方便更换，而且不会对元器件和PCB板造成损坏，便于元器件的回收。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212230414U
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202020729244.4
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提出了一种贴片元器件的封装结构，所述封装结构的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底面内以形成焊料储存槽。本实用新型的贴片元器件的封装结构的的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底平面内，使得引脚的焊接平面与周围结构形成焊料储存槽，多余的焊料可以储存或隐藏在焊料储存槽内，位于焊料储存槽周围的封装结构的底面形成为绝缘隔栅，可以有效避免引脚短路现象，降低生产过程中的不良率。本实用新型还提出了一种包括上述封装结构的贴片元器件及电子设备。
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