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公开(公告)号：CN113541451B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010319721.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路，用于对外部输入的低压数字输入信号HI和LI进行处理并输出高侧输出信号HO和低侧输出信号LO，其特征在于，包括：输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧高效率输出驱动电路L、高侧预驱动电路、低延时高压电平移位电路、高侧高效率输出驱动电路H、栅压钳位电路、短路保护电路以及欠压保护电路。其中，数控高精度死区时间产生电路和低侧数控延时电路内部的延迟电路采用数字控制延时电路，栅压钳位电路具有第一PMOS晶体管M1L、第二PMOS晶体管M2L、NMOS晶体管M3L、比较器、钳位反相器和2输入或门。
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公开(公告)号：CN114324496A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111563129.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Pt颗粒修饰的氧化锡/氧化锌核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明用化学溶液法制备氧化锡核层纳米片，再结合原子层沉积技术，得到氧化锡/氧化锌核壳结构纳米片，最后采用磁控溅射生长Pt薄膜，实现了MEMS基原位生长。本发明制备方法具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产等优点。本发明构建的气敏纳米材料应用于气体传感时灵敏度大幅提升，具有高选择性，展现了更加优异的气敏性能。本发明的气敏纳米材料能够对部分微量气体进行检测，并且对硫化氢气体具有优异的选择性，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN114068757A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111215134.1
申请日：2021-10-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/153 , H01L31/18 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连接。本发明中，micro‑LED采用自下而上方法制备，从根本上消除了侧壁损伤，能够有效提高器件性能。同时，由于集成了microLED和紫外光电探测器，使得本发明的单片集成器件具有发射信号和接收信号的双重功能，可以作为光通信中的收发单元和光互连单元。
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公开(公告)号：CN110608825B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910861741.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚酰亚胺基底微结构的柔性压力传感器及其制备方法。本发明的柔性压力传感器包括下层柔性基底、力敏结构层和上层柔性封装层；下层柔性基底为聚酰亚胺薄膜，其上表面具有凸起的微结构阵列；力敏结构层与下层柔性基底上表面紧密贴合，其从下至上包括下部电极层、柔性压阻材料层和上部电极层，柔性压阻材料层是具有压阻特性的碳基纳米颗粒/聚合物压阻材料；上层柔性封装层与力敏结构层上表面紧密贴合，用以保护传感器和防水。本发明通过采用自下而上的微纳制造技术制备基于聚酰亚胺基底微结构的柔性压力传感器，具有灵敏度高、超薄超轻、工艺简单、易于阵列化制造和应用性强的优点。
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公开(公告)号：CN113237581A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110489623.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 复旦大学附属中山医院
Abstract: 一种皮肤硬度传感器及其制作方法，该方法包括：螺旋线电极和圆盘电极的制备步骤：将纳米银线和碳纳米管按照质量百分比为一比一混合后分散在醇类溶液中；将贴在玻璃片上的聚酰亚胺薄膜图案化；在玻璃片上喷涂纳米银线/碳纳米管导电颗粒；去掉多余聚酰亚胺薄膜后，形成螺旋线电极和圆盘电极；压力敏感的电容材料的制备步骤：将碳纳米管通过十二烷基硫酸钠改性分散到第一溶液中，磁力搅拌二甲基硅氧烷/碳纳米管/水的混合溶液第三时长形成油包水乳化液并将其滴在螺旋线电极上，在第二温度下加热第二时长后再盖上圆盘电极；在预设温度分别加热固化一定时长后形成稳定的整体；将螺旋线电极和圆盘电极分别连接引线后，皮肤硬度传感器制作完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490287A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011221337.7
申请日：2020-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。采用选区外延生长的方法，在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n型欧姆接触电极，在p‑GaN/2DEG结的AlGaN/GaN异质结一侧制备绝缘栅电极。本发明的GaN集成场效应晶体管同时具有增强型和耗尽型工作模式，同时采用基于AlGaN/GaN异质结的选区外延工艺避免制备互联金属，提高了集成器件的功能性，降低了集成器件的寄生效应，在高性能GaN功率器件和逻辑器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112349789A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910724127.0
申请日：2019-08-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种GaN异质结快恢复二极管器件结构及其制作方法，属于二极管领域。本发明提供的GaN异质结快恢复二极管器件结构，具有正极金属层、基底层以及负极金属层，其中基底层包括衬底层以及外延层；外延层外表面上具有凹槽，凹槽内填充有P型Si材料。本发明提供的二极管器件结构制作方法包括如下步骤：S1，沉积SiN作为掩蔽层，铺展光刻胶，光刻P型窗口，刻蚀P型窗口中的掩蔽层和外延材料，形成深槽；S2，除去光刻胶层，填充深槽，蚀除去多余的多晶硅和全部掩蔽层；S3，蒸发金属材料，快速热退火，形成负极金属层；步骤4，蒸发金属材料，形成正极金属层。本发明提供的二极管器件结构具有更快的关断速度，制作方法具有较好的工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN110589875A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910873471.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明首先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料，然后采用原子层沉积技术和水热法相结合的工艺制备支化氧化锌纳米线，最终得到了单层氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线多级异质结构。本发明的制备方法具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产，与MEMS工艺兼容等优点。制得的多级复合气敏纳米材料能够对1 ppm级微量硫化氢实现超灵敏、高选择性探测，同时能够对有机挥发性气体进行微量检测，进而为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN110066985A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910352388.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种利用原子层沉积制备GaON薄膜包覆微结构材料的方法。本发明利用等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH3与O2等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按照一定比例同时通入原子层沉积（ALD）反应腔体，通过控制原子层沉积的反应循环次数，在微结构材料表面均匀包覆一层预定厚度的GaON薄膜。本发明公开的制备GaON薄膜包覆纳米微结构的方法，包覆厚度和包覆层薄膜的含量都可通过ALD工艺参数精确可调，操作简单，包覆后提升纳米微结构的光电性能效果显著。该方法在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。
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