公开(公告)号：CN111834467B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201910322519.4

申请日：2019-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  李晓茜 ,  陈金鑫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法，用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极，该标记片的工作面具有第一区域、第二区域以及第三区域，包括以下步骤：将Ga2O3薄膜覆盖在第一区域上，然后将Ga2O3薄膜的表面以及工作面全部涂胶；在Ga2O3薄膜的表面以及工作面光刻去胶得到阳极窗口；在阳极窗口处溅射沉积Si以及Ni；将去胶的标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间；在第一区域以及第三区域制作具有Ga2O3的欧姆电极，从而得到NixSiy/Ga2O3肖特基二极管。本发明制得的NixSiy/Ga2O3肖特基电极具有较低的电阻率，优异的热稳定性，在满足与硅工艺相兼容的情况下能够制得势垒高度可调的NixSiy/Ga2O3肖特基阳极，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111048584B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911334848.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  冯黎 ,  李晓茜 ,  张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P‑GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I‑V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。

公开(公告)号：CN111048584A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911334848.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  冯黎 ,  李晓茜 ,  张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P-氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P-GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I-V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。

公开(公告)号：CN112349789A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201910724127.0

申请日：2019-08-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  王巍 ,  李晓茜 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种GaN异质结快恢复二极管器件结构及其制作方法，属于二极管领域。本发明提供的GaN异质结快恢复二极管器件结构，具有正极金属层、基底层以及负极金属层，其中基底层包括衬底层以及外延层；外延层外表面上具有凹槽，凹槽内填充有P型Si材料。本发明提供的二极管器件结构制作方法包括如下步骤：S1，沉积SiN作为掩蔽层，铺展光刻胶，光刻P型窗口，刻蚀P型窗口中的掩蔽层和外延材料，形成深槽；S2，除去光刻胶层，填充深槽，蚀除去多余的多晶硅和全部掩蔽层；S3，蒸发金属材料，快速热退火，形成负极金属层；步骤4，蒸发金属材料，形成正极金属层。本发明提供的二极管器件结构具有更快的关断速度，制作方法具有较好的工艺兼容性。

公开(公告)号：CN114777666A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210238627.5

申请日：2022-03-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 彭博方 ,  卢红亮 ,  张卫 ,  李晓茜 ,  李煜纯

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明属于微纳制造技术领域，具体为一种基于频谱面探测的多波段多角度微纳米测量装置。本发明装置包括光源、线性渐变滤波片、偏振片、中继镜组、分光镜、显微物镜、后端镜组、频谱面光路连接组成；通过将连续渐变的多个波段的光，各自以不同的角度入射至待测样品上，并通过显微物镜采集，直至在频谱面使用光电探测器同时采集获得包含待测物形貌信息的光信号，并分析处理该光信号，进而获得待测物体的形貌参数信息。相对于传统单角度光谱型、单色光角谱型测量方案而言，能够获得更为广泛的信息，更好的用于微纳米结构的测量。

公开(公告)号：CN111834467A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910322519.4

申请日：2019-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  李晓茜 ,  陈金鑫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法，用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极，该标记片的工作面具有第一区域、第二区域以及第三区域，包括以下步骤：将Ga2O3薄膜覆盖在第一区域上，然后将Ga2O3薄膜的表面以及工作面全部涂胶；在Ga2O3薄膜的表面以及工作面光刻去胶得到阳极窗口；在阳极窗口处溅射沉积Si以及Ni；将去胶的标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间；在第一区域以及第三区域制作具有Ga2O3的欧姆电极，从而得到NixSiy/Ga2O3肖特基二极管。本发明制得的NixSiy/Ga2O3肖特基电极具有较低的电阻率，优异的热稳定性，在满足与硅工艺相兼容的情况下能够制得势垒高度可调的NixSiy/Ga2O3肖特基阳极，具有广泛的应用前景。