公开(公告)号：CN101615591A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910150840.5

申请日：2009-06-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F·R·麦克菲力 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及镀铜的高纵横比过孔及其制造方法。本发明提供了改善的高纵横比过孔及其形成技术。在一个方面中，提供了一种制造镀铜的高纵横比过孔的方法。该方法包括以下步骤。在介质层中蚀刻高纵横比过孔。在高纵横比过孔中并在介质层的一个或多个表面之上沉积扩散阻挡层。在扩散阻挡层之上沉积铜层。在铜层之上沉积钌层。用钌层上镀敷的铜填充高纵横比过孔。还提供了通过该方法形成的镀铜的高纵横比过孔。

公开(公告)号：CN101536170A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041313.X

申请日：2007-09-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  王平川 ,  王允愈

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L21/76847 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有增强的电迁移(EM)可靠性的互连结构及其制造方法。本发明的互连结构通过至少部分地在金属互连内引入EM防止衬(66)而避免了EM失效导致的电路完全断开。在一实施例中，提供“U形”EM防止衬，其邻接将导电材料(64，68)与电介质材料(54B)分隔开的扩散阻挡层。在另一实施例中，一间隔位于“U形”EM防止衬和扩散阻挡层之间。在又一实施例中，提供邻接扩散阻挡层的水平EM衬。在再一实施例中，一间隔存在于水平EM衬和扩散阻挡层之间。

公开(公告)号：CN100517621C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580046544.0

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  T·J·达尔顿 ,  L·C·苏 ,  C·J·拉登斯 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  K·K·H·黄 ,  杨智超

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。

公开(公告)号：CN100481384C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610163558.7

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·拉思 ,  杨智超 ,  S·波诺斯 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过以下步骤制造导体-电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过反向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。

公开(公告)号：CN101390204A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006677.4

申请日：2007-03-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  T·A·斯普纳 ,  O·范德斯特拉滕

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构及其制造方法，所述互连结构包括在过孔开口中的一个的底部处的刨削特征。根据本发明，形成所述互连结构的方法既不会损坏在上覆的线路开口中的淀积的扩散阻挡层的覆盖，也不会将Ar溅射引起的损伤引入到包括过孔和线路开口的介质材料中。根据本发明，这样的互连结构只在所述过孔开口内而不在所述上覆的线路开口中包含扩散阻挡层。该特征增强了所述过孔开口区域周围的机械强度和扩散特性而不会减小在所述线路开口内部的导体的体积分数。根据本发明，通过在形成所述线路开口和在所述线路开口中淀积扩散阻挡层之前在所述过孔开口底部提供刨削特征，来获得这样的互连结构。

公开(公告)号：CN101390203A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680012049.2

申请日：2006-04-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  L·A·克莱文格 ,  A·P·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·H·允

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种镶嵌布线及形成所述布线的方法。所述方法包括：在介质层的顶表面上形成掩模层；在所述掩模层中形成开口；在所述介质层未被所述掩模层保护处的所述介质层中形成沟槽；凹入在所述掩模层之下的所述沟槽的侧壁；在所述沟槽和所述硬掩模层的所有暴露的表面上形成保形导电衬里；使用芯导体填充所述沟槽；去除在所述介质层的所述顶表面之上延伸的所述导电衬里的部分并去除所述掩模层；以及在所述芯导体的顶表面上形成导电帽。所述结构包括导电衬里中的芯导体覆层和与未被所述导电衬里所覆盖的所述芯导体的顶表面接触的导电盖帽层。

公开(公告)号：CN101257000A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810074179.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 丹尼尔·C·埃德尔斯坦 ,  野上毅 ,  王平川 ,  王允愈 ,  杨智超

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种结构及相关方法，该结构包括在铜布线和介电层的无衬界面处的难熔金属环。在一实施例中，一结构包括：铜布线，与其上的介电层具有无衬界面；通孔，从该铜布线向上延伸穿过该介电层；以及难熔金属环，从该通孔的侧面部分沿该无衬界面延伸。难熔金属环通过改善通孔周围的界面来防止电迁移造成的狭缝空缺，并防止空缺成核出现在通孔附近。另外，在通孔和介电层无衬界面附近存在空缺时，难熔金属环提供电冗余。

公开(公告)号：CN101174608A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710184834.2

申请日：2007-10-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供一种改善的半导体器件互连结构及其制造方法，该互连结构包括相对于导电互连特征凹进的电介质层。该结构和方法减少了来自于CMP擦痕和金属盖层应用的嵌入的金属残余物且提供了盖层/衬层/电介质界面处改善的机械整体性。

公开(公告)号：CN101150127A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710139951.7

申请日：2007-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 威廉·R.·唐迪 ,  杨智超 ,  杰克·A·曼德尔曼 ,  许履尘

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 依照第一方面，提供了一种第一设备。第一设备是一集成电路(IC)元件，包括：(1)具有源极/漏极扩散区域的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；(2)电熔丝(eFuse)，被耦合到所述MOSFET，使得一部分的eFuse充当所述MOSFET的栅极区；和(3)注入区域，被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域，使得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为短路或开路起作用。还提供了许多其它方面。

公开(公告)号：CN1332427C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410032489.7

申请日：2004-04-09

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司 ,  联华电子股份有限公司

Inventor： K·川恩达 ,  L·柯利文格尔 ,  A·考利 ,  方隼飞 ,  S·格利高 ,  A·H·西蒙 ,  T·斯布恩尔 ,  王允愈 ,  杨智超

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明是提供一种在一单一沉积反应室中制造半导体装置的方法，而其中该半导体装置是具有一介电结构，而在该介电结构上是使用微影以及蚀刻技术而被选择性地图案化的互连结构。在溅镀蚀刻程序之前，该介电结构可藉由扩散阻障材质而被选择性地加以覆盖。此溅镀蚀刻程序是用于移除在底下的金属导体表面的原生氧化物，并且包括同时执行的方向性气体轰击以及中性金属沉积。扩散阻障材质亦可以被沉积进入该图案之中。