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公开(公告)号：CN103117338A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310067790.0
申请日：2013-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种低损伤GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；步骤3：采用PECVD的方法，在GaN外延片上沉积电流阻挡层；步骤4：在电流阻挡层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N-GaN层，在N-GaN层的一侧形成台面；步骤5：对电流阻挡层进行光刻，使电流阻挡层的面积小于P-GaN层的面积；步骤6：在刻蚀后的GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；步骤7：光刻腐蚀掉P-GaN层和电流阻挡层以外的ITO薄膜；步骤8：在ITO薄膜上与电流阻挡层的位置对应处制作P电极；在N-GaN层的一侧的台面上制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103107250A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310045572.7
申请日：2013-02-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管单元模组，形成发光二极管阵列，该发光二极管单元模组包括多个发光二极管；步骤3：在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉，通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整；步骤4：取一基板；步骤5：将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上，并与基板形成电性连接，完成结构的制备。本方法可整合发光二极管的制备工艺和芯片封装工艺，具有简化工艺路径，降低工艺成本。可以通过工艺对发光二极管的尺寸和间距进行精确控制。
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公开(公告)号：CN102694088A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210184727.0
申请日：2012-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，包括如下步骤：1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加热，将聚苯乙烯球气化，形成二氧化硅纳米碗阵列，该二氧化硅纳米碗阵列覆盖于电流扩展层的表面；4)采用ICP干法刻蚀，把纳米碗阵列转移到电流扩展层上；5)在BOE或HF溶液中处理，将电流扩展层表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成电流扩展层的纳米碗阵列。本发明可以提高发光二极管出光效率，得到较佳的发光强度。
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公开(公告)号：CN102637789A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210126306.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆级LED管芯整体集成封装装置，包括：一模具，包括下模具和上模具，该下模具的表面开有模穴，该上模具内为一真空腔室，其下面开有多个吸气孔；一真空泵，其通过管路与上模具内的真空腔室连接。本发明具有批量化、产业化的优点，且成本低廉。
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公开(公告)号：CN102569567A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210075711.6
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在非故意掺杂氮化镓上生长氮化镓应力控制层；步骤6：在氮化镓应力控制层上生长依次生长N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，得到完整LED外延结构。本发明可以提高发光二极管外延质量，调制外延层中因为晶格失配带来的应力，并有效的改善发光二极管的漏电和抗静电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113921512A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187945.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种MicroLED三基色发光结构及其制备方法，涉及光电显示技术领域。所述发光结构包括：显示基板；位于所述显示基板上的无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构；位于所述显示基板上的无衬底红光OLED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底绿光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底蓝光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接。本发明公开的MicroLED三基色发光结构可以降低能耗，利用无衬底红光OLED结构代替AlGaInP红光LED结构，可以提高发光效率；利用无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构驱动，可以提高载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN108133992B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201711402665.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构，使该红光LED量子阱结构发出红光光子。本发明中倒装红光LED器件是吸收蓝光LED芯片发出的光子光泵发光，而非传统的电注入发光，避免了传统倒装红光LED复杂的外延生长工艺和芯片制备工艺，降低工艺复杂度，提高器件可靠性，并缩短芯片制造流程。
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公开(公告)号：CN110260268A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910552034.4
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21V7/05 , F21V7/24 , F21K9/20 , F21Y115/10
Abstract: 一种匀光照明模组及其应用，该匀光照明模组包括：外壳，其内壁具有漫反射表面特性且内底面具有镜面反射表面特性；发光元件，其安装在外壳内部，用于提供光源；匀光元件，其安装在外壳内部，用于匀化光源；出光面，其设置在外壳顶部，用于输出光源。本发明结构简单，制作难度和成本低，且匀光模组总的高度低于10mm，在较小的厚度和体积下实现了较高质量的近场匀光。
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公开(公告)号：CN104465485B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410730418.8
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/70
Abstract: 本发明公开了一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法，包括：在透明面板正面的四周边缘制备金属电极，所述金属电极包括行金属电极和列金属电极；将正装LED芯片直接固晶到透明面板正面的中间区域，排成阵列；通过打金线方式连接每行芯片的P电极，并与透明面板边缘的行金属电极相连；通过打金线方式连接每列芯片的N电极，与透明面板边缘的列金属电极相连；在透明面板正面进行封胶保护，形成封装胶，并在封装胶表面制作反射镜。本发明由于不需要电绝缘层，因此小间距LED全彩显示阵列的成品率增加，坏点(不亮芯片)减少；制备小间距LED全彩显示阵列的工艺步骤大大简化，提高了生产效率，降低了成本。
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