公开(公告)号：CN108133992B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201711402665.5

申请日：2017-12-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王国宏 ,  陆兴东 ,  李璟 ,  李志聪

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构，使该红光LED量子阱结构发出红光光子。本发明中倒装红光LED器件是吸收蓝光LED芯片发出的光子光泵发光，而非传统的电注入发光，避免了传统倒装红光LED复杂的外延生长工艺和芯片制备工艺，降低工艺复杂度，提高器件可靠性，并缩短芯片制造流程。

公开(公告)号：CN108133992A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711402665.5

申请日：2017-12-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王国宏 ,  陆兴东 ,  李璟 ,  李志聪

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构，使该红光LED量子阱结构发出红光光子。本发明中倒装红光LED器件是吸收蓝光LED芯片发出的光子光泵发光，而非传统的电注入发光，避免了传统倒装红光LED复杂的外延生长工艺和芯片制备工艺，降低工艺复杂度，提高器件可靠性，并缩短芯片制造流程。